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公开(公告)号：CN104046963B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410250562.1
申请日：2014-06-08
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C16/46 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/40 , C23C16/545 , C23C16/56
Abstract: 薄膜沉积制备装置和方法，涉及薄膜制备领域。本发明的制备方法包括下述步骤：1)金属衬底加热，2)沉积；其特征在于，所述步骤1)为：采用电极使电流从生长区一端的金属衬底导入，从生长区另一端的金属衬底导出，利用金属衬底自身的电阻发热实现加热。本发明可以提高所制备薄膜的质量，同时降低薄膜的制备成本。另外，采用该加热方法也能很容易地在金属衬底两面同时实现一致性双面薄膜的制备，对于提高金属衬底的使用效率，降低成本，提高性能具有重要作用。
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公开(公告)号：CN103695859B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310676482.8
申请日：2013-12-11
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 超导带材用双面LaMnO3缓冲层的制备方法，属于超导材料技术领域。包括以下步骤：（1）将柔性基带安装在两个转盘之间；（2）将长400毫米，宽40毫米，厚度5毫米的锰镧合金靶分别安置在对靶上，基带正反面分别与对靶上的锰镧合金靶相对；（3）将生长室抽背底真空至1×10-3Pa以下，对基带加热，使温度保持在750℃左右，充入氩气至0.5Pa并维持，再用U型进气管充入1.2×10-3到2.5×10-3Pa氧气；（4）开启中频电源，在靶材附近形成辉光区域；（5）步进电机带动基带匀速通过辉光区域沉积薄膜；（6）关闭溅射。本发明采用中频溅射和超长对靶结构，提高了薄膜的沉积速率，有利于长带材的快速、连续制备。
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公开(公告)号：CN104046963A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410250562.1
申请日：2014-06-08
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C16/46 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/40 , C23C16/545 , C23C16/56
Abstract: 薄膜沉积制备装置和方法，涉及薄膜制备领域。本发明的制备方法包括下述步骤：1)金属衬底加热，2)沉积；其特征在于，所述步骤1)为：采用电极使电流从生长区一端的金属衬底导入，从生长区另一端的金属衬底导出，利用金属衬底自身的电阻发热实现加热。本发明可以提高所制备薄膜的质量，同时降低薄膜的制备成本。另外，采用该加热方法也能很容易地在金属衬底两面同时实现一致性双面薄膜的制备，对于提高金属衬底的使用效率，降低成本，提高性能具有重要作用。
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公开(公告)号：CN103695859A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310676482.8
申请日：2013-12-11
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 超导带材用双面LaMnO3缓冲层的制备方法，属于超导材料技术领域。包括以下步骤：（1）将柔性基带安装在两个转盘之间；（2）将长400毫米，宽40毫米，厚度5毫米的锰镧合金靶分别安置在对靶上，基带正反面分别与对靶上的锰镧合金靶相对；（3）将生长室抽背底真空至1×10-3Pa以下，对基带加热，使温度保持在750℃左右，充入氩气至0.5Pa并维持，再用U型进气管充入1.2×10-3到2.5×10-3Pa氧气；（4）开启中频电源，在靶材附近形成辉光区域；（5）步进电机带动基带匀速通过辉光区域沉积薄膜；（6）关闭溅射。本发明采用中频溅射和超长对靶结构，提高了薄膜的沉积速率，有利于长带材的快速、连续制备。
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