公开(公告)号：CN118248548A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410222135.6

申请日：2024-02-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 齐钊 ,  陈泓全 ,  贾义睿 ,  魏敬齐 ,  周锌 ,  乔明 ,  张波

IPC: H01L21/329 ,  H01L23/552 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种用于辐射加固瞬态电压抑制器件(TVS)的制造方法，通过对传统硅局部氧化工艺的改良优化，在不影响TVS器件面积、电学特性和电流能力的条件下，显著提升器件的抗辐射性能，抑制TVS器件由于辐射效应导致的漏电流增大和击穿电压降低等不良影响，提高TVS器件在航天、空间应用等辐射环境中的电学特性稳定性。本发明提出的辐射加固TVS器件制造方法与传统工艺兼容，通过刻蚀掉传统硅局部氧化工艺高温快速生长的厚氧化层，并在此之后低温慢速生长厚度为#imgabs0#的薄氧化层，从而达到降低氧化层内缺陷密度、减薄氧化层厚度的目的，使得器件受到辐射的影响大幅度降低。