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公开(公告)号：CN108505051B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201810261495.1
申请日：2018-03-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于纳米结构材料领域，具体提供一种平整阻挡型TFT阳极氧化铝绝缘层的制备方法，本发明在磁控溅射镀完铝膜后，直接在真空条件下进行了二次溅射，在纯铝的表面继续镀了一层很薄的氮化镁、硫化镁、氧化镁、氧化钙、过氧化钙、氮化钙或硫化钙薄膜，有效防止了刚镀好的纯铝表面与空气接触迅速形成非晶态天然氧化铝薄膜；并且，二次溅射镀好的氮化镁、硫化镁、氧化镁、氧化钙、过氧化钙、氮化钙或硫化钙薄膜，接触弱酸性电解液后，水解反应生成微量溶解于弱酸性电解液的碱性物质，不会影响后续铝的阳极氧化过程；本发明既能够得到高度平整的阻挡型阳极氧化铝薄膜，又能够避免阳极氧化过程中铝膜瞬间脱落的风险，且工艺简单、成本低。
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公开(公告)号：CN108505051A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810261495.1
申请日：2018-03-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于纳米结构材料领域，具体提供一种平整阻挡型TFT阳极氧化铝绝缘层的制备方法，本发明在磁控溅射镀完铝膜后，直接在真空条件下进行了二次溅射，在纯铝的表面继续镀了一层很薄的氮化镁、硫化镁、氧化镁、氧化钙、过氧化钙、氮化钙或硫化钙薄膜，有效防止了刚镀好的纯铝表面与空气接触迅速形成非晶态天然氧化铝薄膜；并且，二次溅射镀好的氮化镁、硫化镁、氧化镁、氧化钙、过氧化钙、氮化钙或硫化钙薄膜，接触弱酸性电解液后，水解反应生成微量溶解于弱酸性电解液的碱性物质，不会影响后续铝的阳极氧化过程；本发明既能够得到高度平整的阻挡型阳极氧化铝薄膜，又能够避免阳极氧化过程中铝膜瞬间脱落的风险，且工艺简单、成本低。
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