公开(公告)号：CN113594258A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110998545.6

申请日：2021-08-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周锌 ,  陈星江 ,  吴中华 ,  王钊 ,  耿立明 ,  乔明 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明提供了一种低辐射漏电高压LDMOS器件结构，该器件包括AB、AC和AD三个不同截面结构。相比传统高压LDMOS器件结构，本发明在AB截面和AD截面之间增加了一个AC截面结构。元胞区和非元胞区(场区)交界处往非元胞区一侧，即AC截面，补充注入了一个第一导电类型重掺杂区域，从而切断了辐射漏电途径，避免了总剂量辐射引起的器件漏电现象，降低了器件的关态损耗，提高了器件抗总剂量辐射能力。

公开(公告)号：CN113675274A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110996942.X

申请日：2021-08-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周锌 ,  王钊 ,  陈星江 ,  耿立明 ,  王卓 ,  乔明 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/552 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种低辐射漏电高压Double RESURF LDMOS器件结构，该器件包括AB、AC和AD三个不同截面结构。相比传统高压Double RESURF LDMOS器件结构，本发明在器件元胞区和非元胞区交界处的两侧，即AB和AC截面，将第一导电类型顶层结构延伸至与第一导电类型阱区相切，从而切断了辐射漏电途径，避免了总剂量辐射引起的泄漏电流增大的问题，提高了器件抗总剂量辐射能力。

公开(公告)号：CN113675274B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202110996942.X

申请日：2021-08-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周锌 ,  王钊 ,  陈星江 ,  耿立明 ,  王卓 ,  乔明 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/552 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种低辐射漏电高压Double RESURF LDMOS器件结构，该器件包括AB、AC和AD三个不同截面结构。相比传统高压Double RESURF LDMOS器件结构，本发明在器件元胞区和非元胞区交界处的两侧，即AB和AC截面，将第一导电类型顶层结构延伸至与第一导电类型阱区相切，从而切断了辐射漏电途径，避免了总剂量辐射引起的泄漏电流增大的问题，提高了器件抗总剂量辐射能力。

公开(公告)号：CN113594258B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202110998545.6

申请日：2021-08-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周锌 ,  陈星江 ,  吴中华 ,  王钊 ,  耿立明 ,  乔明 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明提供了一种低辐射漏电高压LDMOS器件结构，该器件包括AB、AC和AD三个不同截面结构。相比传统高压LDMOS器件结构，本发明在AB截面和AD截面之间增加了一个AC截面结构。元胞区和非元胞区(场区)交界处往非元胞区一侧，即AC截面，补充注入了一个第一导电类型重掺杂区域，从而切断了辐射漏电途径，避免了总剂量辐射引起的器件漏电现象，降低了器件的关态损耗，提高了器件抗总剂量辐射能力。