-
公开(公告)号：CN118299422A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410374664.8
申请日：2024-03-29
Applicant: 电子科技大学 , 无锡华润华晶微电子有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L23/34 , G01K13/00 , G01K7/00 , G01K1/14 , G01K1/143
Abstract: 本发明提供一种集成温度传感器的半导体器件，其包括至少一个元胞。包括正面电极(阴极电极)、背面电极(阳极电极)以及位于两电极之间的半导体单元，包括隔离介质、源区接触、发射区接触、第一基区、发射区栅极结构、第二基区、漂移区、场截止区、集电区、栅极结构、采样结构隔离介质、第一采样区材料、第二采样区材料、第一采样区电极、第二采样区电极、第三采样区电极。其中，第二基区内部的第一、第二采样区材料形成的半导体结构，具备温度敏感的电学特性，能够通过第一、第二采样区电极引出的电信号反映器件内部的实时温度，并通过第三采样区电极调节采样信号的幅值。
-
公开(公告)号：CN117153875A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311119562.3
申请日：2023-08-31
Applicant: 电子科技大学 , 无锡华润华晶微电子有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及功率半导体技术，具体涉及了具有陷阱层的逆导型IGBT器件，本发明在集电极结构中添加了陷阱层，从而形成了电子势垒；器件在正向导通初始状态下，电子势垒的存在改变了电子的移动路径，增大了器件在初始导通状态下电子电流通路上的电阻，从而抑制了器件在导通状态下的回跳电压；减小了N+集电区的间隔距离，加快关断过程中的电子抽取速度，减小关断功耗，提高器件工作频率。
-
公开(公告)号：CN109087944B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201810954130.7
申请日：2018-08-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS电流采样结构的逆导型IGBT。本发明主要在传统RC‑IGBT器件的基础上，在不增加工艺步骤的前提下，引入了MOS电流采样结构17，该结构用于RC‑IGBT器件的电流采样。相对于IGBT模块来讲，RC‑IGBT比常规IGBT具有更高的集成度，本发明将IGBT模块中的采样功能集成于RC‑IGBT内部，能够进一步减小IGBT模块体积，降低成本。采用MOS电流采样结构17，可以快速反映RC‑IGBT的电流变化，提高器件的可靠性；采用二极管元胞区域16形成的隔离区，可以减小IGBT主元胞区15对MOS电流采样区17的影响，提高采样精度。
-
公开(公告)号：CN110265477B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910572446.4
申请日：2019-06-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L27/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有PNP穿通三极管的IGBT器件，P型第二集电区、N型第二基区与分立浮空Pbody区形成PNP三极管结构；器件正向导通时，PNP三极管结构不导通，并储存空穴增强电导调制，并通过在金属电极上串联的二极管进一步减小泄露电流；关断时PNP三极管穿通提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，PNP三极管穿通，增加了器件耐压能力。
-
公开(公告)号：CN109065619B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201810953505.8
申请日：2018-08-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体的说涉及一种具有低噪声低开关损耗特性的IGBT器件。本发明通过在传统IGBT器件的分立浮空pbody区8内引入低噪声的P+型JFET源区13、N+型JFET栅极区14和P‑型JFET沟道区15结构，以此在器件正向导通时存储空穴增强电导调制，关断时快速泄放空穴，降低关断时间；同时通过介质层10在JFET栅极区14形成半包围结构，降低器件的密勒电容Cgc，抑制了JFET结构中寄生NPN开启对有效栅极电压的影响，达到了在保证低噪声的条件下，降低开关时间和开关损耗。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110265477A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910572446.4
申请日：2019-06-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L27/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有PNP穿通三极管的IGBT器件，P型第二集电区、N型第二基区与分立浮空Pbody区形成PNP三极管结构；器件正向导通时，PNP三极管结构不导通，并储存空穴增强电导调制，并通过在金属电极上串联的二极管进一步减小泄露电流；关断时PNP三极管穿通提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，PNP三极管穿通，增加了器件耐压能力。
-
公开(公告)号：CN109065619A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810953505.8
申请日：2018-08-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0696
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体的说涉及一种具有低噪声低开关损耗特性的IGBT器件。本发明通过在传统IGBT器件的分立浮空pbody区8内引入低噪声的P+型JFET源区13、N+型JFET栅极区14和P‑型JFET沟道区15结构，以此在器件正向导通时存储空穴增强电导调制，关断时快速泄放空穴，降低关断时间；同时通过介质层10在JFET栅极区14形成半包围结构，降低器件的密勒电容Cgc，抑制了JFET结构中寄生NPN开启对有效栅极电压的影响，达到了在保证低噪声的条件下，降低开关时间和开关损耗。
-
公开(公告)号：CN108767006A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810550237.5
申请日：2018-05-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种集成电压采样功能的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在体区引入JFET结构的沟道处于常关状态，器件正向导通状态下，体区存储载流子，增强电导调制作用，降低了器件的饱和导通压降；器件关断状态下，体区起到浮空场限环作用，减弱了槽栅底部的电场聚集现象，提高器件的耐压可靠性；本发明所引入JFET结构的栅极和源极分别与外围控制电路和采样端口相连，利用JFET结构源极电压变化与IGBT耐压之间的映射关系即可实现电压采样功能，在达到电气隔离效果的同时也不会损害器件正向阻断特性；通过改变JFET结构的栅极偏置电压，实现电压采样比的调整，用以满足不同应用条件对电压采样的要求。本发明采样结构简单，与现有工艺兼容。
-
公开(公告)号：CN108767006B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201810550237.5
申请日：2018-05-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种集成电压采样功能的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在体区引入JFET结构的沟道处于常关状态，器件正向导通状态下，体区存储载流子，增强电导调制作用，降低了器件的饱和导通压降；器件关断状态下，体区起到浮空场限环作用，减弱了槽栅底部的电场聚集现象，提高器件的耐压可靠性；本发明所引入JFET结构的栅极和源极分别与外围控制电路和采样端口相连，利用JFET结构源极电压变化与IGBT耐压之间的映射关系即可实现电压采样功能，在达到电气隔离效果的同时也不会损害器件正向阻断特性；通过改变JFET结构的栅极偏置电压，实现电压采样比的调整，用以满足不同应用条件对电压采样的要求。本发明采样结构简单，与现有工艺兼容。
-
公开(公告)号：CN109065618A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810953482.0
申请日：2018-08-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有稳固短路承受能力的IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在传统IGBT器件的分立浮空pbody区(8)内引入等效为可变电阻的JFET结构(13)、(14)、(15)和二极管N型区(16)、二极管P型区(17)；在器件正常导通时存储空穴，在短路导通和短路关断过程中提供空穴泄放路径，快速泄放空穴，降低短路导通时的短路电流；JFET栅极(14)通过反向耐压的二极管与IGBT栅极(9)连接，降低了短路过程中JFET栅极处的泄漏电流，抑制了寄生三极管的开启，满足了正负栅压驱动的应用要求，显著提升器件的栅极控制和短路关断能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.035 seconds)
