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公开(公告)号：CN118168584B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410592381.0
申请日：2024-05-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种用于伺服电机的多圈编码器装置，其特征在于，该装置包括永磁铁、韦根传感器、逻辑控制模块、MRAM存储模块及MCU模块；永磁铁用于产生磁场的交替变化；韦根传感器在永磁体产生的交替变化的磁场的影响下产生脉冲，该脉冲极性是正负交替的，且脉冲电压较高；逻辑控制模块用于对韦根传感器产生的脉冲进行整流和稳压，产生稳定的脉冲用于供能；逻辑控制模块还用于得到旋转方向，传输至MRAM存储模块用于多圈计数；MRAM存储模块用于多圈计数及存储；MCU模块用于上电时参数配置。本发明能够降低对存储进行读写的能量，提高写入成功率，防止圈数漏记，提高系统性能；并且通过集成能够减少系统面积，降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118351903B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410772846.0
申请日：2024-06-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 一种选择读取后无回写过程的铁电存储器电路、方法及装置，涉及电路设计领域。本发明主要思想为通过消除读取后的回写过程来降低FRAM的读取功耗同时提高FRAM的寿命，虽然读取后不进行回写会导致存储的数据遭到破坏，但如果该数据只需要被读取一次，那么就不用关心其是否会被破坏的问题了。本发明利用FRAM读取后会有回写过程以保持数据的特点，针对读取后必定会在相同位置重新写入的场景，设计了一种可以选择读取后无回写过程的FRAM电路，降低了读时间、读功耗，提高了FRAM的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118173141B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410591479.4
申请日：2024-05-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11C11/26
Abstract: 本发明提供一种基于格雷码计数器的低功耗非易失存储器电路，属于存储电路设计领域。其主要思想为利用新型非易失存储器写入时需要翻转比特位数越多，其消耗能量越大，写入时间越长的特点，提出通过降低比特翻转数量的方式来优化非易失存储器的性能。本发明使用格雷码这种编码方式存储数据，利用格雷码相邻码元间只相差一个比特的特点，结合新型非易失存储器的特性，通过降低写入时的比特翻转位数，来降低非易失存储器的写入功耗，写入时间以及提高其使用寿命。
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公开(公告)号：CN118351903A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410772846.0
申请日：2024-06-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 一种选择读取后无回写过程的铁电存储器电路、方法及装置，涉及电路设计领域。本发明主要思想为通过消除读取后的回写过程来降低FRAM的读取功耗同时提高FRAM的寿命，虽然读取后不进行回写会导致存储的数据遭到破坏，但如果该数据只需要被读取一次，那么就不用关心其是否会被破坏的问题了。本发明利用FRAM读取后会有回写过程以保持数据的特点，针对读取后必定会在相同位置重新写入的场景，设计了一种可以选择读取后无回写过程的FRAM电路，降低了读时间、读功耗，提高了FRAM的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118173141A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410591479.4
申请日：2024-05-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11C11/26
Abstract: 本发明提供一种基于格雷码计数器的低功耗非易失存储器电路，属于存储电路设计领域。其主要思想为利用新型非易失存储器写入时需要翻转比特位数越多，其消耗能量越大，写入时间越长的特点，提出通过降低比特翻转数量的方式来优化非易失存储器的性能。本发明使用格雷码这种编码方式存储数据，利用格雷码相邻码元间只相差一个比特的特点，结合新型非易失存储器的特性，通过降低写入时的比特翻转位数，来降低非易失存储器的写入功耗，写入时间以及提高其使用寿命。
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公开(公告)号：CN118168584A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410592381.0
申请日：2024-05-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种用于伺服电机的多圈编码器装置，其特征在于，该装置包括永磁铁、韦根传感器、逻辑控制模块、MRAM存储模块及MCU模块；永磁铁用于产生磁场的交替变化；韦根传感器在永磁体产生的交替变化的磁场的影响下产生脉冲，该脉冲极性是正负交替的，且脉冲电压较高；逻辑控制模块用于对韦根传感器产生的脉冲进行整流和稳压，产生稳定的脉冲用于供能；逻辑控制模块还用于得到旋转方向，传输至MRAM存储模块用于多圈计数；MRAM存储模块用于多圈计数及存储；MCU模块用于上电时参数配置。本发明能够降低对存储进行读写的能量，提高写入成功率，防止圈数漏记，提高系统性能；并且通过集成能够减少系统面积，降低成本。
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