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公开(公告)号：CN115050812A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210829425.8
申请日：2022-07-15
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子效应的高压LDMOS器件结构，该器件包括P型衬底、埋氧层、栅氧层、槽氧化层、场氧化层、N型外延、P型阱区、P型埋层区、源区P+注入、槽底部P+注入、N型阱区、源区N+注入、漏区N+注入、多晶硅、金属、介质槽。本发明通过在P型阱区下引入新的电极，为单粒子辐射产生的空穴电流提供一条额外的泄漏路径，避免器件内部寄生晶体管的开启。
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公开(公告)号：CN116110939A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211694591.8
申请日：2022-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/73 , H01L29/737 , H01L23/552
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射的高压纵向三极管结构，该器件包括第二导电类型发射区第一导电类型阱区第二导电类型阱区第二导电类型埋层区第一导电类型衬底第一导电类型分段注入区、浅槽隔离氧化层、第二导电类型发射极注入区、第一导电类型基极注入区、第二导电类型集电极注入区、发射极金属电极，基极金属电极、集电极金属电极；本发明通过在发射结基区一侧表面引入高掺杂P型区，削弱了总剂量辐射致陷阱电荷对发射结注入效率的影响，从而阻止了基区表面复合电流的增加，抑制了器件共发射极电流放大系数的退化，并且通过发射结基区一侧表面高掺杂P型注入采用z轴方向的分段结构，削弱三极管初始的共发射极电流放大系数的下降。
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公开(公告)号：CN118398648A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410497612.X
申请日：2024-04-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种降低单粒子效应的沟槽型IGBT的抗辐射加固结构，在发射极N型重掺杂区域的下方添加薄层氧化层，阻碍电流路径，降低反馈电流，同时降低发射极端电场，抑制闩锁效应的发生，进而解决重粒子辐照后沟槽型IGBT容易发生SEB的问题，提高了SEB阈值，实现了单粒子效应的加固。通过调整内部添加的薄层氧化层的长度来调节器件的单粒子性能，并可以采用分段式结构减小对器件基本性能的影响。以此可以设计出抗辐射性能更强的沟槽型IGBT功率半导体器件。
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公开(公告)号：CN116190434A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211694146.1
申请日：2022-12-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种抗总剂量辐射高压三极管结构，该器件包括N型发射区、P型阱区、N型阱区、N型埋层区、P型衬底、P型注入区、浅槽隔离氧化层、N型发射极注入区、P型基极注入区、N型集电极注入区、N型注入区、金属电极；本发明通过在发射结基区一侧的表面引入高掺杂P型区，提高了发射结附近基区表面浓度，削弱了总剂量辐射致陷阱电荷对发射结注入效率的影响，阻止了基区表面复合电流的增加，抑制了器件共发射极电流放大系数的退化，有效提升了三极管抗总剂量辐射的能力。同时，在发射区下方引入高掺杂N型区，避免了基区表面P型区带来的器件初始共发射极电流放大系数的下降。
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公开(公告)号：CN115881698A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211695228.8
申请日：2022-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/552 , H01L29/73
Abstract: 本发明提供了一种深槽隔离型抗辐射的高压三极管结构，该器件包括第二导电类型发射区、第一导电类型阱区、第二导电类型阱区、第二导电类型埋层区、第一导电类型衬底、深槽隔离氧化层、浅槽隔离氧化层、第二导电类型发射极注入区、第一导电类型基极注入区、第二导电类型集电极注入区、发射极金属电极、基极金属电极、集电极金属电极；本发明通过采用深槽隔离氧化层，改变电流路径，降低了流经基区/氧化物界面的电流密度，阻止了基区和氧化物界面的复合电流的增加，抑制了三极管共发射极电流放大系数的退化，有效提升了器件的抗总剂量辐射的能力。
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