公开(公告)号：CN119767763A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411932081.9

申请日：2024-12-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  史则升 ,  申道明 ,  黎奕辰 ,  王嘉璐 ,  张波

IPC: H10D62/10 ,  H10D64/66 ,  H10D30/60 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件，包括元胞区、过渡区和终端区，所述过渡区处于器件元胞区和终端区之间，所述器件元胞区、过渡区和终端区底部共同设有第一导电类型衬底、位于第一导电类型衬底上方的第一导电类型外延层及位于第一导电类型外延层内的第一导电类型缓冲层；在大电流应用下，由于元胞区为芯片中面积占比最大的区域，若能让击穿发生在元胞区，让电流经由元胞区泄放，将大大提高器件的鲁棒性；本发明在保证终端区耐压基础上，通过调整过渡区以及终端区N/P柱宽度，优化终端区电场分布使击穿点向大面积的元胞区转移，提高了器件的EAS性能，优化了器件反向耐压特性，降低了器件终端区的电荷平衡敏感度，提高器件鲁棒性。

公开(公告)号：CN117012831A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202311094939.4

申请日：2023-08-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李珏 ,  史则升 ,  申道明 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件，包括元胞区、过渡区和终端区，所述过渡区处于器件元胞区和终端区之间，所述器件元胞区、过渡区和终端区底部共同设有第一导电类型衬底、位于第一导电类型衬底上方的第一导电类型外延层及位于第一导电类型外延层内的第一导电类型缓冲层；在大电流应用下，由于元胞区为芯片中面积占比最大的区域，若能让击穿发生在元胞区，让电流经由元胞区泄放，将大大提高器件的鲁棒性；本发明在保证终端区耐压基础上，通过提高终端区顶部结构位置，形成硅层台阶，提高了终端区的纵向耐压长度，使击穿点向大面积的元胞区转移，提高了器件的EAS性能，优化了器件反向耐压特性，降低了器件终端区的电荷平衡敏感度，提高器件鲁棒性。