公开(公告)号：CN116219392B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202310215765.6

申请日：2023-03-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 熊杰 ,  田雨琛 ,  饶高峰 ,  崔奕 ,  张淼 ,  陈心睿 ,  汪洋 ,  王显福 ,  晏超贻

IPC: C23C16/30 ,  H10F77/12 ,  H10F30/21 ,  H10F71/00 ,  C23C16/01 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种基于氯化钠基底的无损硒氧铋薄膜的制备方法及应用，属于光电材料制备技术领域，具体为：将2～3:1质量比的Bi2O3粉末和Bi2Se3块体置于双温区管式炉中上游，将(001)面的NaCl基底置于双温区管式炉下游；将双温区管式炉抽真空至0.1pa，通入氩气冲洗，在30min内将中上游和下游的温度分别升至500～700℃和350～550℃，保温10～60min后得到共格外延生长的无损硒氧铋薄膜。应用在光电探测器中，将无损硒氧铋薄膜黏附在热释放胶带上，通过滴加去离子水去除NaCl基底，再热释放热释放胶带，实现硒氧铋薄膜的无损、无污染转移，器件可实现从紫外‑可见‑红外的光电流响应。

公开(公告)号：CN116219392A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310215765.6

申请日：2023-03-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 熊杰 ,  田雨琛 ,  饶高峰 ,  崔奕 ,  张淼 ,  陈心睿 ,  汪洋 ,  王显福 ,  晏超贻

IPC: C23C16/30 ,  H01L31/032 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  C23C16/01 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种基于氯化钠基底的无损硒氧铋薄膜的制备方法及应用，属于光电材料制备技术领域，具体为：将2～3:1质量比的Bi2O3粉末和Bi2Se3块体置于双温区管式炉中上游，将(001)面的NaCl基底置于双温区管式炉下游；将双温区管式炉抽真空至0.1pa，通入氩气冲洗，在30min内将中上游和下游的温度分别升至500～700℃和350～550℃，保温10～60min后得到共格外延生长的无损硒氧铋薄膜。应用在光电探测器中，将无损硒氧铋薄膜黏附在热释放胶带上，通过滴加去离子水去除NaCl基底，再热释放热释放胶带，实现硒氧铋薄膜的无损、无污染转移，器件可实现从紫外‑可见‑红外的光电流响应。