公开(公告)号：CN103414017B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201310371388.1

申请日：2013-08-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 赵志钦 ,  吴江牛 ,  王金叶 ,  宋健 ,  朱晓章

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/50

Abstract: 本发明公开了一种基于同相功分器馈电的双偶极子定向天线，包括介质基板（12）、双偶极子辐射单元、馈电单元、第一平行耦合双线（5）和第二平行耦合双线（6），所述双偶极子辐射单元由两个印刷在介质基板（12）上的印刷偶极子组成，所述馈电单元为同相功分器，同相功分器的输出端口通过第一平行耦合双线（5）和第二平行耦合双线（6）与所述双偶极子辐射单元相连。本发明采用同相功分器为需要反向馈电的双偶极子定向天线馈电，该同相功分器结构简单紧凑、体积小、重量轻，易于加工制作、易于集成，可以降低天线结构的复杂性，本发明的基于同相功分器馈电的双偶极子定向天线具有定向辐射、宽频带、增益适中等优点。

公开(公告)号：CN116167317A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211561666.5

申请日：2022-12-07

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 刘军 ,  汪洁 ,  王金叶

IPC: G06F30/367 ,  G06F17/12 ,  G06F111/08 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明公开一种考虑位错散射的砷化镓HEMT器件表面势模型的建模方法，包括以下步骤：S1、基于砷化镓HEMT器件的准弹道输运机理，使用通量计算虚源处的电荷密度；S2、由砷化镓HEMT器件异质结引入的位错散射建立迁移率模型；S3、由迁移率模型进一步计算平均自由程和传输系数；S4、通过考虑了E0，E1两个能级的电荷密度公式进行解析计算求出费米能级Ef，为了提高阈值附近的精度，利用Householder方法重新计算了Ef；S5、利用数值求解进行验证。本发明解决了当砷化镓HEMT器件沟道长度不断减小，解决了先前模型未考虑异质结引入的位错散射的问题。

公开(公告)号：CN103414017A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310371388.1

申请日：2013-08-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 赵志钦 ,  吴江牛 ,  王金叶 ,  宋健 ,  朱晓章

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/50

Abstract: 本发明公开了一种基于同相功分器馈电的双偶极子定向天线，包括介质基板（12）、双偶极子辐射单元、馈电单元、第一平行耦合双线（5）和第二平行耦合双线（6），所述双偶极子辐射单元由两个印刷在介质基板（12）上的印刷偶极子组成，所述馈电单元为同相功分器，同相功分器的输出端口通过第一平行耦合双线（5）和第二平行耦合双线（6）与所述双偶极子辐射单元相连。本发明采用同相功分器为需要反向馈电的双偶极子定向天线馈电，该同相功分器结构简单紧凑、体积小、重量轻，易于加工制作、易于集成，可以降低天线结构的复杂性，本发明的基于同相功分器馈电的双偶极子定向天线具有定向辐射、宽频带、增益适中等优点。