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公开(公告)号：CN116167317A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211561666.5
申请日：2022-12-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F17/12 , G06F111/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开一种考虑位错散射的砷化镓HEMT器件表面势模型的建模方法，包括以下步骤：S1、基于砷化镓HEMT器件的准弹道输运机理，使用通量计算虚源处的电荷密度；S2、由砷化镓HEMT器件异质结引入的位错散射建立迁移率模型；S3、由迁移率模型进一步计算平均自由程和传输系数；S4、通过考虑了E0，E1两个能级的电荷密度公式进行解析计算求出费米能级Ef，为了提高阈值附近的精度，利用Householder方法重新计算了Ef；S5、利用数值求解进行验证。本发明解决了当砷化镓HEMT器件沟道长度不断减小，解决了先前模型未考虑异质结引入的位错散射的问题。
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