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公开(公告)号：CN110137781B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910389000.8
申请日：2019-05-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种将表面波转化为Smith‑Purcell辐射的光栅结构，属于真空电子技术领域。本发明将具有两个周期的亚波长孔阵列叠合在一起，上下孔阵列中的场可以通过通孔相互耦合。发射极发射的电子掠过周期较小的孔阵列一侧，将在孔阵列表面激发起表面波，表面波主要由周期较小的孔阵列的周期所决定。根据亚波长孔阵列的增强透射特性，表面场很容易通过孔到达周期较大的孔阵列的一侧，根据Smith‑Purcell辐射机制，表面波将转化为辐射场。表面波的强度远大于电子直接激发的Smith‑Purcell的强度，因此本发明将表面波转化为Smith‑Purcell辐射，可极大的提高Smith‑Purcell辐射的强度。表面波强度可控，因此实现的Smith‑Purcell辐射将是相干可调的辐射，可应用与毫米波、太赫兹辐射源的研究。
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公开(公告)号：CN100399581C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610020175.4
申请日：2006-01-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 射频DMOS功率器件，属于半导体功率器件技术以及射频集成电路技术领域。在现有部分SOI射频DMOS功率器件中，在部分氧化绝缘层下方加入低掺杂的n(或p)埋层，做成具有埋层的部分SOI射频DMOS器件，利用PN结原理增加漏区/外延层结的下极板结电容对应的耗尽宽度，以此来降低输出电容，从而提高器件的输出功率；用部分空隙绝缘层代替部分氧化绝缘层，也可做成部分SON射频DMOS器件，利用空隙相对介电常数为1的性质来减小器件的输出电容并提高器件的输出功率；利用部分空隙绝缘层和低掺杂的n(或p)埋层还可做成具有埋层的部分SON射频DMOS器件，能够更好的降低器件输出电容和提高输出功率。本发明所述器件工作在微波段频率下，同时耐压性能更高，散热性能和频响性能也能够得到保证。
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公开(公告)号：CN108471039A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810282275.7
申请日：2018-04-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种用于产生毫米波和太赫兹辐射的光栅结构，属于真空电子技术领域。本发明包括电子发射极、周期金属脊结构、矩形金属块、电子收集级、介质块和反射镜；电子发射极发射电子团或电子注，当电子经过光栅齿和矩形金属块之间时，在周期金属脊结构和矩形金属块中诱导出两个镜像电荷，可视为两个偶极子；当电子运动到周期金属脊结构的槽的上方时，两个镜像电荷与电子之间的距离将发生变化，电子周期性的经过光栅齿和槽，镜像电荷和电子形成的电偶极子将发生振荡，从而激发出电磁辐射。本发明中两个电偶极子同时振荡，因此极大的提高了Smith-Purcell辐射的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100446275C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610021845.4
申请日：2006-09-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/808
Abstract: 高压SensorFET器件，属于半导体功率器件技术、功率器件传感技术和功率集成电路技术领域。包括具有横向JFET结构和纵向JFET结构的高压采样用FET器件。具有横向JFET结构的功率采样用FET器件是通过p/或n栅区(2)和p/或n衬底(6)之间夹n/或p阱/或外延层(8)形成JFET沟道，并利用RESURF原理提高器件击穿电压。具有纵向JFET结构的功率采样用FET器件是通过不同的p/或n栅区(2)之间夹n/或p阱/或外延层(8)以及p/或n栅区(2)和p/或n衬底(6)之间夹n/或p阱/或外延层(8)形成JFET沟道，并利用RESURF原理提高器件的击穿电压。本发明在满足高耐压的同时具有良好的JFET的IV特性，具有电流采样功能以及为低压集成电路提供充电电流功能，且易于集成。可应用在电源管理、马达驱动和功率控制等领域。
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公开(公告)号：CN110137781A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910389000.8
申请日：2019-05-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种将表面波转化为Smith-Purcell辐射的光栅结构，属于真空电子技术领域。本发明将具有两个周期的亚波长孔阵列叠合在一起，上下孔阵列中的场可以通过通孔相互耦合。发射极发射的电子掠过周期较小的孔阵列一侧，将在孔阵列表面激发起表面波，表面波主要由周期较小的孔阵列的周期所决定。根据亚波长孔阵列的增强透射特性，表面场很容易通过孔到达周期较大的孔阵列的一侧，根据Smith-Purcell辐射机制，表面波将转化为辐射场。表面波的强度远大于电子直接激发的Smith-Purcell的强度，因此本发明将表面波转化为Smith-Purcell辐射，可极大的提高Smith-Purcell辐射的强度。表面波强度可控，因此实现的Smith-Purcell辐射将是相干可调的辐射，可应用与毫米波、太赫兹辐射源的研究。
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公开(公告)号：CN1937257A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610021845.4
申请日：2006-09-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/808
Abstract: 高压SensorFET器件，属于半导体功率器件技术、功率器件传感技术和功率集成电路技术领域。包括具有横向JFET结构和纵向JFET结构的高压SensorFET器件。具有横向JFET结构的功率SensorFET器件是通过p(或n)栅区2和p(或n)衬底6之间夹n(或p)阱(或外延层)8形成JFET沟道，并利用RESURF原理提高器件击穿电压。具有纵向JFET结构的功率SensorFET器件是通过不同的p(或n)栅区2之间夹n(或p)阱(或外延层)8以及p(或n)栅区2和p(或n)衬底6之间夹n(或p)阱(或外延层)8形成JFET沟道，并利用RESURF原理提高器件的击穿电压。本发明在满足高耐压的同时具有良好的JFET的IV特性，具有电流采样以及为低压集成电路提供充电电流功能，且易于集成。可应用于电源管理、马达驱动和功率控制等领域。
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公开(公告)号：CN1828942A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610020175.4
申请日：2006-01-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 射频DMOS功率器件，属于半导体功率器件技术以及射频集成电路技术领域。在现有部分SOI射频DMOS功率器件中，在部分氧化绝缘层下方加入低掺杂的n(或p)埋层，做成具有埋层的部分SOI射频DMOS器件，利用PN结原理增加漏区/外延层结的下极板结电容对应的耗尽宽度，以此来降低输出电容，从而提高器件的输出功率；用部分空隙绝缘层代替部分氧化绝缘层，也可做成部分SON射频DMOS器件，利用空隙相对介电常数为1的性质来减小器件的输出电容并提高器件的输出功率；利用部分空隙绝缘层和低掺杂的n(或p)埋层还可做成具有埋层的部分SON射频DMOS器件，能够更好的降低器件输出电容和提高输出功率。本发明所述器件工作在微波段频率下，同时耐压性能更高，散热性能和频响性能也能够得到保证。
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公开(公告)号：CN108761609A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810570016.4
申请日：2018-06-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B5/18 , H01J23/027 , H01J23/06
CPC classification number: G02B5/18 , H01J23/027 , H01J23/06
Abstract: 本发明公开了一种增强史密斯帕塞尔辐射的光栅，属于光栅技术领域。本发明包括电子发射极、光栅齿、光栅槽、金属隔板和电子收集极；电子发射极和电子收集极分别位于光栅结构两端的上方；光栅齿与光栅槽周期性间隔排布；每个光栅槽中均竖直放置有金属隔板。本发明在光栅结构的槽中加金属隔板的结构，形成谐振，使史密斯帕塞尔辐射的方向集中在金属光栅的上半空间，与现有技术的Smith‑Purcell辐射相比，提高Smith‑Purcell的辐射功率。
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