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公开(公告)号：CN114823873A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210460657.0
申请日：2022-04-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种能够增大设计窗口、提高工艺容差的超结功率器件终端结构，该结构在过渡区和器件边缘之间的终端区顶部设有新型多晶硅阻性场板，利用场板内电势均匀分布的特性在终端内顶部引入额外的电场来限制非耗尽区的扩展，优化电荷分布。本发明结构包括第一掺杂类型外延层、第二掺杂类型超结柱区、第二掺杂类型体区、第二掺杂类型横向连接层、第二掺杂类型体接触区、第一掺杂类型源接触区、栅氧化层、钝化层、场氧化层、栅电极、第二掺杂类型边缘接触区、多晶硅阻性场板、金属层等。本发明结构与无场板终端结构相比更容易维持高耐压，使脆弱的终端区达到与元胞区相同的击穿电压容差水平，增大设计窗口，提高设计灵活性，降低工艺控制难度。
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公开(公告)号：CN114823873B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210460657.0
申请日：2022-04-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提供一种能够增大设计窗口、提高工艺容差的超结功率器件终端结构，该结构在过渡区和器件边缘之间的终端区顶部设有新型多晶硅阻性场板，利用场板内电势均匀分布的特性在终端内顶部引入额外的电场来限制非耗尽区的扩展，优化电荷分布。本发明结构包括第一掺杂类型外延层、第二掺杂类型超结柱区、第二掺杂类型体区、第二掺杂类型横向连接层、第二掺杂类型体接触区、第一掺杂类型源接触区、栅氧化层、钝化层、场氧化层、栅电极、第二掺杂类型边缘接触区、多晶硅阻性场板、金属层等。本发明结构与无场板终端结构相比更容易维持高耐压，使脆弱的终端区达到与元胞区相同的击穿电压容差水平，增大设计窗口，提高设计灵活性，降低工艺控制难度。
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公开(公告)号：CN111382803B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010189611.0
申请日：2020-03-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的特征融合方法，涉及电磁信号识别技术领域。首先对目标离散信号进行预处理，使用短时傅里叶变换提取所有数据的功率谱密度P，将功率谱密度P作为通信信号源的特征；再以功率谱密度P作为通信辐射源的特征导入事先训练好的神经网络，完成特征的提取，得到特征P1；其次将目标离散信号分段，求每一段的载频和码元速率相对偏差，将之作为特征P2；最后将提取后的特征P2与特征P1在数量级上对应拼接起来，作为融合特征P3；采用融合特征P3对信号进行识别。与现有技术相比，本发明技术方案的有益效果是：具有更高的识别率，能够准确识别通信信号设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113990757B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202111254973.4
申请日：2021-10-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种MOS器件及制造方法：先通过沟槽刻蚀填充，在漂移区内引入第一掺杂类型超结区和第二掺杂类型超结区，利用沟槽刻蚀填充不引入显著热过程的特点，实现极小的超结单元元胞尺寸，提升器件功率密度，降低器件比导通电阻；再通过外延与离子注入结合的方式在超结区顶层引入动态特性调制区，通过调整离子注入的范围、剂量，容易地调整动态特性调制区的浓度及分布，来达到调整器件动态特性的目的。本发明与现有多次外延注入工艺相比，具有工艺简单、成本更低、器件元胞尺寸更小的优势；相比现有沟槽刻蚀填充工艺，能灵活地调整电容特性，从而优化器件的动态特性。
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公开(公告)号：CN116388974A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310309431.5
申请日：2023-03-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于多密钥同态加密的密文检索方法，能够对不同密钥加密下的密文执行检索。数据拥有者以及数据使用者分别使用同态加密技术对数据和查询值进行加密，并上传密文至服务器。服务器将根据参与方(包括数据拥有者以及数据使用者)的总数k对密文进行扩展，得到包含k+1个元素的多密钥形式密文，扩展后的密文即使在不同密钥加密下，也能够执行同态运算，并支持分布式解密，解密过程由所有参与方共同执行。据此本发明得以实现密文检索功能。同时，本发明还应用压缩编码技术对检索功能进行了优化，使用布隆过滤器集合一次性返回所有检索结果，无需重复执行检索算法，减少了计算和存储开销，大大提高了检索性能。
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公开(公告)号：CN113990757A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111254973.4
申请日：2021-10-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种MOS器件及制造方法：先通过沟槽刻蚀填充，在漂移区内引入第一掺杂类型超结区和第二掺杂类型超结区，利用沟槽刻蚀填充不引入显著热过程的特点，实现极小的超结单元元胞尺寸，提升器件功率密度，降低器件比导通电阻；再通过外延与离子注入结合的方式在超结区顶层引入动态特性调制区，通过调整离子注入的范围、剂量，容易地调整动态特性调制区的浓度及分布，来达到调整器件动态特性的目的。本发明与现有多次外延注入工艺相比，具有工艺简单、成本更低、器件元胞尺寸更小的优势；相比现有沟槽刻蚀填充工艺，能灵活地调整电容特性，从而优化器件的动态特性。
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公开(公告)号：CN111382803A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010189611.0
申请日：2020-03-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的特征融合方法，涉及电磁信号识别技术领域。首先对目标离散信号进行预处理，使用短时傅里叶变换提取所有数据的功率谱密度P，将功率谱密度P作为通信信号源的特征；再以功率谱密度P作为通信辐射源的特征导入事先训练好的神经网络，完成特征的提取，得到特征P1；其次将目标离散信号分段，求每一段的载频和码元速率相对偏差，将之作为特征P2；最后将提取后的特征P2与特征P1在数量级上对应拼接起来，作为融合特征P3；采用融合特征P3对信号进行识别。与现有技术相比，本发明技术方案的有益效果是：具有更高的识别率，能够准确识别通信信号设备。
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公开(公告)号：CN116522019A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310634815.4
申请日：2023-05-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F16/9537 , G06F16/951 , G06F21/60 , G06F16/22 , G06F16/2453
Abstract: 一种前向安全的时空数据检索方法、系统、设备及介质，方法包括：索引构建，数据加密，索引加密，范围查询；系统、设备及介质：用于实现一种前向安全的时空数据检索方法；本发明通过R树对空间数据进行组织，并利用非对称标量积保持加密方案作为加密工具，能够降低存储成本和检索算法实现的复杂度，在保证前向安全的前提下，提高了数据检索的速度。
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