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公开(公告)号:CN113603481B
公开(公告)日:2022-05-03
申请号:CN202110794900.8
申请日:2021-07-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01Q1/36
Abstract: 一种高温度稳定性锆酸镁锂系复合陶瓷及其制备方法,属于电子材料技术领域。所述复合陶瓷的结构式为Li2‑2xMg3‑6xZr1‑2xTixVxO6‑6.5x,x的取值范围为0.05~0.07。本发明提供的锆酸镁锂系复合陶瓷,以Li2Mg3ZrO6作为主料,采用偏相Li2TiO3和V2O5进行复合,使得烧结特性、品质因数、介电常数得到了改善,温度系数向正方向稳步移动,得到了较高品质因数、高温度稳定性、中等介电常数、低烧结温度的复合陶瓷材料,可用作天线基板材料使用。
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公开(公告)号:CN109809807B
公开(公告)日:2021-07-06
申请号:CN201910237811.6
申请日:2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01Q1/38 , H01Q21/06
Abstract: 一种基于M型钡铁氧体材料的小型化阵列天线,属于天线基板材料技术领域。所述阵列天线的基板材料为镧(La)和钴(Co)取代的M型钡铁氧体,配方为BaFe(12‑5x)(LaCo)3xO19,其中,0<x≤0.12。本发明通过镧和钴在M型钡铁氧体中的占位和离子磁矩的大小,可以使得M型钡铁氧体的相对磁导率得到提升,缺少一个铁的(BaFe(12‑5x)(LaCo)3xO19)配方可以使得M型钡铁氧体的相对介电常数降低。
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公开(公告)号:CN110078492A
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201910362184.9
申请日:2019-04-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种镁铁氧体基低损耗磁介材料,属于电子材料领域。所述磁介材料是以镁铁氧体作为基础材料,采用镨掺杂进行改性得到的,镨掺杂的镁铁氧体材料为Mg1-xCdxFe2-yPryO4尖晶石铁氧体材料,其中,x取值为0.1~0.3,y取值为0.02~0.08。本发明磁介材料利用Pr离子的改性,调节材料的磁性能和介电性能,实现了低温烧结和磁介近似相等,同时材料的合成工艺控制晶粒生长均匀,材料具有较低的磁损耗参数,在1MHz~30MHz的频率范围内具有等磁介性和低损耗性;该磁介材料作为天线基板材料时,可很好地实现天线的小型化,且有利于提高微带天线的辐射效率和带宽,为小尺寸无线通信设备的设计提供了新的方案。
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公开(公告)号:CN113603481A
公开(公告)日:2021-11-05
申请号:CN202110794900.8
申请日:2021-07-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01Q1/36
Abstract: 一种高温度稳定性锆酸镁锂系复合陶瓷及其制备方法,属于电子材料技术领域。所述复合陶瓷的结构式为Li2‑2xMg3‑6xZr1‑2xTixVxO6‑6.5x,x的取值范围为0.05~0.07。本发明提供的锆酸镁锂系复合陶瓷,以Li2Mg3ZrO6作为主料,采用偏相Li2TiO3和V2O5进行复合,使得烧结特性、品质因数、介电常数得到了改善,温度系数向正方向稳步移动,得到了较高品质因数、高温度稳定性、中等介电常数、低烧结温度的复合陶瓷材料,可用作天线基板材料使用。
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公开(公告)号:CN110078492B
公开(公告)日:2021-09-24
申请号:CN201910362184.9
申请日:2019-04-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种镁铁氧体基低损耗磁介材料,属于电子材料领域。所述磁介材料是以镁铁氧体作为基础材料,采用镨掺杂进行改性得到的,镨掺杂的镁铁氧体材料为Mg1‑xCdxFe2‑yPryO4尖晶石铁氧体材料,其中,x取值为0.1~0.3,y取值为0.02~0.08。本发明磁介材料利用Pr离子的改性,调节材料的磁性能和介电性能,实现了低温烧结和磁介近似相等,同时材料的合成工艺控制晶粒生长均匀,材料具有较低的磁损耗参数,在1MHz~30MHz的频率范围内具有等磁介性和低损耗性;该磁介材料作为天线基板材料时,可很好地实现天线的小型化,且有利于提高微带天线的辐射效率和带宽,为小尺寸无线通信设备的设计提供了新的方案。
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公开(公告)号:CN109809807A
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201910237811.6
申请日:2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01Q1/38 , H01Q21/06
Abstract: 一种基于M型钡铁氧体材料的小型化阵列天线,属于天线基板材料技术领域。所述阵列天线的基板材料为镧(La)和钴(Co)取代的M型钡铁氧体,配方为BaFe(12-5x)(LaCo)3xO19,其中,0<x≤0.12。本发明通过镧和钴在M型钡铁氧体中的占位和离子磁矩的大小,可以使得M型钡铁氧体的相对磁导率得到提升,缺少一个铁的(BaFe(12-5x)(LaCo)3xO19)配方可以使得M型钡铁氧体的相对介电常数降低。
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