一种超疏水海绵状三维导电复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114702826B

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202210398281.5

    申请日:2022-04-15

    Abstract: 本发明属于柔性电子材料领域,具体涉及一种超疏水海绵状三维导电复合材料及其制备方法和应用。本发明提供的超疏水海绵状三维导电复合材料,以聚二甲基硅氧烷/羰基铁粉为骨架,在聚二甲基硅氧烷/羰基铁粉的多孔海绵骨架上制备包含SEBS和AgNPs的超疏水导电层。由于三维多孔结构、羰基铁粉以及高导电性AgNPs的共同作用,使得该复合材料还具有优异的电磁屏蔽干扰效能;超疏水导电层赋予了优异的抗酸碱腐蚀性能。本发明的三维多孔复合材料集传感、超疏水表面、高稳定性以及电磁干扰屏蔽等功能于一体,且制备工艺简单;实现材料的多功能化并提高了适用性,拓宽了其应用环境和领域。

    一种降低表面温度的LDMOS结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN117457738A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311244029.X

    申请日:2023-09-25

    Abstract: 本发明涉及一种降低表面温度的LDMOS结构及其制备方法,包括:SiC衬底层;漂移层,位于SiC衬底层的上表面;离子注入阱,位于漂移层中的一侧;漏极掺杂区,位于漂移层中的另一侧;体极掺杂区,位于离子注入阱中远离漏极掺杂区的一侧;源极掺杂区,位于离子注入阱中,且位于体极掺杂区靠近漏极掺杂区的一侧;栅氧化层;电极结构;肖特基接触金属层,覆盖在所述漂移层的部分上表面,和漂移层形成肖特基接触,与电极结构和栅氧化层均形成间隔。通过在漂移层上设置肖特基接触金属层,使器件表面电流密度减小,降低了器件表面自热产生的温度,减小了器件因温度升高产生的阈值漂移、线性区与饱和区电流变化等现象,改善了器件的高温电学特性。

    一种三维网络结构的自愈合弹性体的制备方法与应用

    公开(公告)号:CN114773569B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202210600757.9

    申请日:2022-05-30

    Abstract: 本发明属于自修复弹性体技术领域,具体涉及一种三维网络结构的自愈合弹性体的制备方法与应用,含有多重动态可逆共价键和氢键相互作用。本发明通过对分子改性,在聚合物链中引入二硫键与亚胺键这两类动态可逆共价键改善自愈合能力;其结构中的脲键实现化学交联且脲键之间可以形成大量的氢键物理交联点,提高力学性能与自修复能力,可通过调节交联密度使力学性能和自修复能力更好地匹配;将其结合锂盐制备的三维网络结构的自愈合导电弹性体,可进一步用于固态离子传感器,避免了传统离子导体如水凝胶和离子凝胶的液体成分泄露和蒸发问题,拓展了应用领域。且本发明易于工业化生产。

    一种超疏水海绵状三维导电复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114702826A

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202210398281.5

    申请日:2022-04-15

    Abstract: 本发明属于柔性电子材料领域,具体涉及一种超疏水海绵状三维导电复合材料及其制备方法和应用。本发明提供的超疏水海绵状三维导电复合材料,以聚二甲基硅氧烷/羰基铁粉为骨架,在聚二甲基硅氧烷/羰基铁粉的多孔海绵骨架上制备包含SEBS和AgNPs的超疏水导电层。由于三维多孔结构、羰基铁粉以及高导电性AgNPs的共同作用,使得该复合材料还具有优异的电磁屏蔽干扰效能;超疏水导电层赋予了优异的抗酸碱腐蚀性能。本发明的三维多孔复合材料集传感、超疏水表面、高稳定性以及电磁干扰屏蔽等功能于一体,且制备工艺简单;实现材料的多功能化并提高了适用性,拓宽了其应用环境和领域。

    一种4H-SiC MOSFET的宽温度范围逻辑门电路结构

    公开(公告)号:CN117278021A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311135157.0

    申请日:2023-09-05

    Abstract: 本发明公开了一种4H‑SiC MOSFET的宽温度范围逻辑门电路结构,该宽温度范围逻辑门电路结构包括至少两个MOS管,各个MOS管按照预设连接关系进行连接,以使逻辑门电路实现相应的逻辑运算,逻辑门电路包括逻辑非门电路、逻辑与非门电路和逻辑或非门电路,预设连接关系为非门连接关系、与非门连接关系和或非门连接关系,逻辑运算包括非逻辑、与非逻辑和或非逻辑,MOS管均为4H‑SiC MOSFET器件。本发明的宽温度范围逻辑门电路结构能够实现全部为4H‑SiC MOSFET构成的逻辑门电路在25℃到500℃范围内稳定工作,可以适应不同半导体材料的MOS管温度特性,具有普适性,可用于各种电路中产生参考电压。

    一种具有双层导电网络的超疏水导电无纺布的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115815092B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202211483973.6

    申请日:2022-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种具有双层导电网络的超疏水导电无纺布的制备方法和应用,属于柔性电子材料领域。本发明使用喷涂的方法将CNT、SEBS、AgNPs和聚丙烯无纺布相结合,制备出具有双层导电网络的超疏水导电无纺布。该超疏水导电无纺布表面的水接触角>150°,且不同pH值的溶液在其表面接触角均>150°,具有优异的耐酸碱腐蚀性能。此外,AgNPs和CNT优异的光热转换性能,使该超疏水导电无纺布在潮湿寒冷环境下能够保持正常工作,提高了导电无纺布的适用性和多功能性。本发明的超疏水导电无纺布可以作为传感器的活性部件应用在柔性传感器中,利用双层导电网络使传感器具备更宽的检测范围、更高的灵敏度和更好的稳定性。

    一种具有双层导电网络的超疏水导电无纺布的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115815092A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211483973.6

    申请日:2022-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种具有双层导电网络的超疏水导电无纺布的制备方法和应用,属于柔性电子材料领域。本发明使用喷涂的方法将CNT、SEBS、AgNPs和聚丙烯无纺布相结合,制备出具有双层导电网络的超疏水导电无纺布。该超疏水导电无纺布表面的水接触角>150°,且不同pH值的溶液在其表面接触角均>150°,具有优异的耐酸碱腐蚀性能。此外,AgNPs和CNT优异的光热转换性能,使该超疏水导电无纺布在潮湿寒冷环境下能够保持正常工作,提高了导电无纺布的适用性和多功能性。本发明的超疏水导电无纺布可以作为传感器的活性部件应用在柔性传感器中,利用双层导电网络使传感器具备更宽的检测范围、更高的灵敏度和更好的稳定性。

    一种基于FPGA的图像检测装置及其检测方法

    公开(公告)号:CN115375529A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202110559766.3

    申请日:2021-05-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的图像检测装置及其检测方法,所述装置部署于FPGA,所述装置包括:一级总线、二级总线、摄像设备、存取存储器、处理器、数字紧耦合存储器、直接存储访问器、加速器、存储卡;所述处理器与所述直接存储访问器连接,还与所述一级总线连接;所述直接存储访问器与所述处理器连接,还与所述一级总线连接;所述一级总线与所述处理器、所述直接存储访问器、所述第二总线、所述数字紧耦合存储器、所述加速器连接;所述第二总线与所述摄像设备、存取存储器连接;所述加速器与所述一级总线和所述存储卡连接。本发明能够基于所述图像检测装置进行高准确度、低成本、快速、便捷地获取目标检测结果。

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