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公开(公告)号：CN105044844B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201510556238.7
申请日：2015-09-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/24 , G02B6/26 , H01L31/0232 , G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种具有对称结构的垂直方向耦合波导探测器，其特征在于，包括在衬底上自下而上依次为吸收层、下波导层、耦合层、中波导层、耦合层、上波导层和吸收层；相邻的吸收层、下波导层、耦合层与所述相邻的耦合层、上波导层和吸收层相对于中波导层对称排布。该具有对称结构的垂直方向耦合波导探测器，由于波导结构对称，使得波导中任意位置处的光场模式在基超模和一阶超模叠加组合时就能实现较好的还原，避免引入高阶波导模式的修正，有效的抑制了高阶波导模式，简化了计算模型，而且能够有效减轻因高阶波导模式引入导致的波导前端局部过热而使器件烧毁的问题；最终获得的光电流分布更加均匀。
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公开(公告)号：CN106842421B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201710176436.X
申请日：2017-03-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种水平方向对称的高阶超模方向耦合波导探测器，包括从下往上依次设置的衬底层(1)、波导层(2)、吸收层(3)以及覆盖层(4)；波导层(2)由左波导(21)、中波导(22)和右波导(23)并排构成，左波导(21)和右波导(23)结构相同且呈对称分布设置。本发明解决了现有的方向耦合波导探测器、垂直方向耦合波导探测器以及对称结构的垂直方向耦合器波导探测器横截面过小，因而入射光斑过小的问题，使入射光斑直径可从原来的3微米增加到5微米，从而增加了探测器的光电流，并有效增加了从光纤到波导的光耦合效率。
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公开(公告)号：CN106842421A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710176436.X
申请日：2017-03-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种水平方向对称的高阶超模方向耦合波导探测器，包括从下往上依次设置的衬底层(1)、波导层(2)、吸收层(3)以及覆盖层(4)；波导层(2)由左波导(21)、中波导(22)和右波导(23)并排构成，左波导(21)和右波导(23)结构相同且呈对称分布设置。本发明解决了现有的方向耦合波导探测器、垂直方向耦合波导探测器以及对称结构的垂直方向耦合器波导探测器横截面过小，因而入射光斑过小的问题，使入射光斑直径可从原来的3微米增加到5微米，从而增加了探测器的光电流，并有效增加了从光纤到波导的光耦合效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105206686B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510543910.9
申请日：2015-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种消除寄生电容的光波导探测器，还包括波导层二、绝缘层二和n电极，波导层二为中间镂空的矩形体，波导层二的一边与波导层一和绝缘层一接触，绝缘层二为中间镂空的矩形体，绝缘层二的底部与波导层二接触，绝缘层二的四壁与波导层二的内壁接触，n电极放置在绝缘层二的中心，底部与波导层二接触。本发明的有益效果：将n电极移动到后部平台后，n电极与衬底之间不再接触，同时衬底也不需要重掺杂来提高导电性能，从而p电极与衬底之间不再产生寄生电容，使得总电容降低，从而提高光波导探测器的响应带宽。
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公开(公告)号：CN105044844A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510556238.7
申请日：2015-09-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/24 , G02B6/26 , H01L31/0232 , G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种具有对称结构的垂直方向耦合波导探测器，其特征在于，包括在衬底上自下而上依次为吸收层、下波导层、耦合层、中波导层、耦合层、上波导层和吸收层；相邻的吸收层、下波导层、耦合层与所述相邻的耦合层、上波导层和吸收层相对于中波导层对称排布。该具有对称结构的垂直方向耦合波导探测器，由于波导结构对称，使得波导中任意位置处的光场模式在基超模和一阶超模叠加组合时就能实现较好的还原，避免引入高阶波导模式的修正，有效的抑制了高阶波导模式，简化了计算模型，而且能够有效减轻因高阶波导模式引入导致的波导前端局部过热而使器件烧毁的问题；最终获得的光电流分布更加均匀。
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公开(公告)号：CN105842786A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610357339.6
申请日：2016-05-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/125
CPC classification number: G02B6/125 , G02B2006/12111
Abstract: 本发明公开了一种双端输入大功率高速方向耦合光波导探测系统；其包括Y型光纤、两个光纤放大器及方向耦合光波导探测器。本发明采用双端输入方式在方向耦合光波导探测器两端同时输入相同的入射光，使得光电流分布更加均匀，明显的提高了光波导探测器的光电流，从而极大的提高了方向耦合光波导探测器的输出功率。
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公开(公告)号：CN105206686A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510543910.9
申请日：2015-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种消除寄生电容的光波导探测器，还包括波导层二、绝缘层二和n电极，波导层二为中间镂空的矩形体，波导层二的一边与波导层一和绝缘层一接触，绝缘层二为中间镂空的矩形体，绝缘层二的底部与波导层二接触，绝缘层二的四壁与波导层二的内壁接触，n电极放置在绝缘层二的中心，底部与波导层二接触。本发明的有益效果：将n电极移动到后部平台后，n电极与衬底之间不再接触，同时衬底也不需要重掺杂来提高导电性能，从而p电极与衬底之间不再产生寄生电容，使得总电容降低，从而提高光波导探测器的响应带宽。
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