一种氧化铟基气体传感器制作方法、检测甲醇的方法

    公开(公告)号:CN113447531B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202110560782.4

    申请日:2021-05-21

    Abstract: 本发明属于半导体氧化物气体传感器技术领域,公开了一种氧化铟基气体传感器制备方法、检测甲醇的方法,所述氧化铟基气体传感器检测甲醇的方法,包括:当传感器暴露于空气中,空气中的氧气将吸附在材料表面上,氧分子将会捕获电子,从而传感器在空气中呈现出高阻态;当传感器放置于甲醇气体中时,甲醇分子将与吸附氧发生反应并释放电子,从而传感器呈现出电阻降低的趋势。本发明使用NaF作为合成模板,进行喷雾热解反应。该反应过程绿色无污染,合成过程简单,为使用喷雾热解法合成金属半导体氧化物提供了一个新的思路。本发明对于不同浓度的甲醇气体,传感器仍然保持极短的响应恢复时间,在实际应用中是非常重要的。

    一种氧化铟基气体传感器制作方法、检测甲醇的方法

    公开(公告)号:CN113447531A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202110560782.4

    申请日:2021-05-21

    Abstract: 本发明属于半导体氧化物气体传感器技术领域,公开了一种氧化铟基气体传感器制备方法、检测甲醇的方法,所述氧化铟基气体传感器检测甲醇的方法,包括:当传感器暴露于空气中,空气中的氧气将吸附在材料表面上,氧分子将会捕获电子,从而传感器在空气中呈现出高阻态;当传感器放置于甲醇气体中时,甲醇分子将与吸附氧发生反应并释放电子,从而传感器呈现出电阻降低的趋势。本发明使用NaF作为合成模板,进行喷雾热解反应。该反应过程绿色无污染,合成过程简单,为使用喷雾热解法合成金属半导体氧化物提供了一个新的思路。本发明对于不同浓度的甲醇气体,传感器仍然保持极短的响应恢复时间,在实际应用中是非常重要的。

    一种氧化铟基褶皱微球用于乙醇检测的方法及应用

    公开(公告)号:CN113189148A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN202110289199.4

    申请日:2021-03-18

    Abstract: 本发明属于半导体氧化物气体传感器技术领域,公开了一种氧化铟基褶皱微球用于乙醇检测的方法及应用,所述氧化铟基褶皱微球用于乙醇检测的方法包括:称取In(NO3)3分散于去离子水中,搅拌至溶液透明;将溶液加入喷雾热解中的雾化装置,并将N2设置为载气;待溶液全部反应完后收集末端反应产物,清洗,干燥,煅烧;将敏感材料超声分散于去离子水中,使用刷子涂敷在传感器的陶瓷管上,煅烧;将敏感电极和加热丝焊接在六角基座上,老化,待器件电阻平稳后开始测试。本发明提供的In2O3褶皱微球通过喷雾热解法和传承,能够缩短传感器的响应恢复时间,提升传感器的选择特性与灵敏度,提升传感器的抗湿特性,为合成纳米材料提供新思路。

    一种氧化铟基褶皱微球用于乙醇检测的方法及应用

    公开(公告)号:CN113189148B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202110289199.4

    申请日:2021-03-18

    Abstract: 本发明属于半导体氧化物气体传感器技术领域,公开了一种氧化铟基褶皱微球用于乙醇检测的方法及应用,所述氧化铟基褶皱微球用于乙醇检测的方法包括:称取In(NO3)3分散于去离子水中,搅拌至溶液透明;将溶液加入喷雾热解中的雾化装置,并将N2设置为载气;待溶液全部反应完后收集末端反应产物,清洗,干燥,煅烧;将敏感材料超声分散于去离子水中,使用刷子涂敷在传感器的陶瓷管上,煅烧;将敏感电极和加热丝焊接在六角基座上,老化,待器件电阻平稳后开始测试。本发明提供的In2O3褶皱微球通过喷雾热解法和传承,能够缩短传感器的响应恢复时间,提升传感器的选择特性与灵敏度,提升传感器的抗湿特性,为合成纳米材料提供新思路。

    一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

    公开(公告)号:CN115377194A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202211061410.8

    申请日:2022-08-31

    Abstract: 本发明提供一种碳化硅绝缘栅双极型晶体管及其制作方法,属于半导体功率器件技术领域。本发明器件包括自下而上设置的金属集电极、衬底、缓冲层、漂移区、电荷储存区、栅极结构、层间介质层和金属发射极,存在两个凹槽,其间形成P型电位调制区。在反向阻断时,P+屏蔽区通过P型电位调制区与发射极连接,有利于屏蔽凹槽底部电场强度,提升了器件的可靠性;同时关断状态下,P型电位调制区可以提供额外空穴抽取路径,减小关断损耗;正向导通时,两个多晶硅栅耗尽P型电位调制区,使得P+屏蔽区处于浮空电位,从而抑制空穴被发射极收集,增强电导调制效应,提升了器件正向导通能力。制作工艺与现有半导体制作工艺相兼容,节约了器件制造成本。

    一种碳化硅MOSFET器件
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111933715A

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN202011022081.7

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本发明提供一种碳化硅MOSFET器件,包括:N型衬底、N型外延层、P-body区、N-body区、N+接触区、P+接触区、源电极、栅电极、栅介质、漏电极;本发明提出的SiC MOSFET器件在源极集成JFET器件,当器件发生短路时,P-body区与P+接触区形成的JFET区以及相邻的P+接触区之间提前夹断,器件的电流增大时,由于栅极-源极电压保持恒定,JEFT区的作用会使碳化硅MOSFET的有效栅极-源极电压降低,从而导致通过MOSFET器件的饱和电流降低,形成负反馈,最终使得该器件的饱和电流相较于传统结构大幅度降低,提高了其抗短路能力。

    一种镍单原子修饰的硼氮掺杂碳催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN120060891A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510210554.2

    申请日:2025-02-25

    Abstract: 本发明公开了一种镍单原子修饰的硼氮掺杂碳催化剂及其制备方法和应用,属于能源催化技术领域,包括呈管状结构的硼氮掺杂碳以及负载在硼氮掺杂碳表面的镍单原子,硼原子与氮原子之间形成硼‑氮键,其制备方法:将尿素、聚乙二醇、硼酸以及六水硝酸镍超声溶解在去离子水中,在搅拌状态下进行冷凝回流,之后通过旋转蒸发蒸干,所得白色固体在氩气下热解即可获得。本发明形成的硼‑氮键作为两电子氧还原制备过氧化氢反应的活性位点,可有效提升反应活性,同时负载镍单原子有助于调控氧气中间体的吸附能,降低反应过电位,进一步提高过氧化氢选择性,实现室温、低过电位、大电流密度下高选择性电催化两电子氧还原反应合成过氧化氢。本发明可用在固态电解质反应池中合成纯的过氧化氢溶液,具有重要意义。

    一种检测玻璃可装配性的检测系统及方法

    公开(公告)号:CN109238118B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN201811314241.8

    申请日:2018-11-06

    Abstract: 本发明属于汽车玻璃合格性检测领域,公开了一种检测玻璃可装配性的检测系统及方法,检测玻璃可装配性的检测系统包括:机械框架,用于安置被测玻璃与检测触头以及布置线路;硬件框架,用于进行采集检测位点信息,与上位机之间进行双向指令传递;上位机,用于收集来自硬件框架所检测到的数据;对数据进行收集与存储、发布指令以及对收集到的数据进行计算分析SPK值,由统计图表的方式显示给用户,并对被测装置的可装配性进行分析并得出是否具有可装配性。本发明的机械框架的线路框架部分利用金属框架可以有效避免外界电磁干扰,起到静电屏蔽的作用,数据稳定性强。

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