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公开(公告)号:CN104030674B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201410305711.X
申请日:2014-06-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及针对于无线充电中铁氧体材料作为屏蔽材料应用背景的NiCuZn铁氧体材料及其制备方法。该铁氧体主成份和掺杂成份均以氧化物计。主成份以摩尔百分比为:Fe2O3:48.5mol%~49.5mol%;ZnO:25mol%~29mol%;NiO:11.5mol%~20.5mol%;CuO:5mol%~9.5mol%;掺杂成份质量百分比为:0≤V2O5≤0.12wt%。本发明采用传统的氧化物烧结制备工艺,步骤为:(1)原料混合,(2)预烧,(3)掺杂,(4)二次球磨,(5)造粒成型,(6)烧结。制备出的NiCuZn铁氧体材料在100KHz~200KHz频率区间,起始磁导率μi为950~1000,100KHZ、100mT、25℃下功率损耗Pcv为460~500mW/cc,饱和磁感应强度Bs≥360mT,矫顽力Hc
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公开(公告)号:CN104030674A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201410305711.X
申请日:2014-06-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及针对于无线充电中铁氧体材料作为屏蔽材料应用背景的NiCuZn铁氧体材料及其制备方法。该铁氧体主成份和掺杂成份均以氧化物计。主成份以摩尔百分比为:Fe2O3:48.5mol%~49.5mol%;ZnO:25mol%~29mol%;NiO:11.5mol%~20.5mol%;CuO:5mol%~9.5mol%;掺杂成份质量百分比为:0≤V2O5≤0.12wt%。本发明采用传统的氧化物烧结制备工艺,步骤为:(1)原料混合,(2)预烧,(3)掺杂,(4)二次球磨,(5)造粒成型,(6)烧结。制备出的NiCuZn铁氧体材料在100KHz~200KHz频率区间,起始磁导率μi为950~1000,100KHZ、100mT、25℃下功率损耗Pcv为460~500mW/cc,饱和磁感应强度Bs≥360mT,矫顽力Hc
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