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公开(公告)号：CN117092708A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310940988.9
申请日：2023-07-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及瞬变电磁探测领域，具体涉及一种快速关断时域电磁探测发射电路及方法，极大地减少了发射电流的关断时间。技术方案包括：电容电压检测模块将采集到钳位电容电压与基准电压进行对比，根据比较结果产生对应的电平信号，并将对应的电平信号发送至FPGA控制模块，FPGA控制模块根据对应电平信号生成对应的MOS管控制信号发送至驱动电路模块，驱动电路模块根据对应的MOS管控制信号生成对应的MOS管驱动信号至驱动电路模块，驱动电路模块根据MOS管驱动信号生成MOS管驱动信号，双钳位逆变器模块根据MOS管驱动信号控制对应MOS管的开启与关闭，使双钳位逆变器模块输出对应的电压至发射线圈。本发明适用于时域电磁探测。
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公开(公告)号：CN115441704A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211120979.7
申请日：2022-09-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/088 , H02M7/5387 , E21B47/00 , E21B47/12
Abstract: 本发明公开了一种频率幅值可调节的井间电磁发射系统，属于井间探测领域。该系统包括电源模块、FPGA控制模块、驱动电路模块、桥式逆变器模块；采用电源模块将井上直流供电转换后为系统工作电压，降低了电缆中的电能损耗；使用SPWM的输出方式将直流电转换为正弦交流信号，并通过FPGA控制模块对晶体管开断进行控制，以实现大功率正弦电压信号输出；同时，使用FPGA并借助UART串口通信协议，通过解析井上发送指令实时调节调制信号的频率和大小以影响脉宽调制信号的占空比，从而调整发射系统输出信号波形的幅值和频率。另一方面，本发明采用SiC MOSFET使发射电路的面积得到极大减小，使得电路更适用于井下探测作业。
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公开(公告)号：CN114256737A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111532759.0
申请日：2021-12-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种窄线宽DFB纳米等离子体激光器及其制备方法，属于光电技术领域。该激光器包括衬底、纳米结构、绝缘层、金属膜、电极及电极引线、布拉格光栅结构。本发明通过在传统的纳米等离子体激光源器件上集成布拉格光栅结构，利用DFB线宽压缩技术，使激光器谐振腔内的有效折射率产生周期性的微扰，对激光器的纵向激射模式进行有选择性的正反馈，抑制其他模式，实现优质的窄线宽、单模、高稳定激光输出。本发明的窄线宽DFB纳米等离子体激光器在微纳传感、片上集成光源、激光雷达、泵浦光源、通信、光集成等领域有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN114014262B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111191935.9
申请日：2021-10-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/184 , C01B32/194 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯量子点阵列的微纳复合制备方法，属于光电技术领域。采用化学气相沉积法制备石墨烯薄膜，然后采用EBL光刻工艺完成石墨烯表面牺牲层及纳米阵列结构的初加工，保证量子点阵列的均匀性；然后进行FIB雕刻修饰，去除腐蚀过程中出现的棱边缺陷结构，降低棱边粗糙度，保证石墨烯量子点阵列的光洁性；最后腐蚀去除表面牺牲层，得到最后的石墨烯量子点阵列结构。本发明提出的表面牺牲层EBL辅助FIB加工技术是一种高精度微纳阵列加工技术，具有加工精度高、均匀性好、粗糙度低等特点，可广泛应用于微纳结构光电传感集成器件微加工制造；形成的石墨烯量子点阵列，对近红外波段具有吸收峰，可作为一种石墨烯量子点阵列的消光器件。
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公开(公告)号：CN115390068A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210947052.4
申请日：2022-08-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种频率可调的双极性高斯脉冲源的产生方法及装置。该方法包括步骤：将电容值调整到所需频率的对应的大小；将雪崩管周围加上200‑400V的电压，此时雪崩管处在截止状态，并同控制信号控制开关芯片关断，避免产生错误信号；选通某一路开关电路，并通知主机开关已经打开；雪崩管接收主机发送的同步脉冲作为同步触发，开关管导通，经过Marx电路和RC滤波电路之后，产生所需频率的高斯脉冲；保持某一路导通直至主机通知关断或者更换频率。本发明提供一种频率可调的双极性高斯脉冲源的产生方法，进而避免来回地更换发射源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112420900B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202011223576.6
申请日：2020-11-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种贵金属纳米颗粒‑量子棒阵列的偏振器件制备方法，属于光电技术领域。所述方法利用激光倏逝驻波聚焦沉积技术，制备极化固定的贵金属银纳米颗粒线阵列基底，该银纳米颗粒线阵列基底与附有聚酰亚胺PI取向层的玻片复合作为量子棒的定向模板，在制备的复合定向结构中注射半导体量子棒溶液，制备贵金属纳米颗粒阵列‑定向半导体量子棒复合发光器件，同时实现量子棒阵列的荧光增强与偏振发光。该方法制备的贵金属阵列‑量子棒定向排列的复合结构，荧光强度可调且具有较高的偏振度，有助于为液晶显示技术、纳米表征技术、固态偏振光源技术提供新的原理和方法。
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公开(公告)号：CN114256737B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202111532759.0
申请日：2021-12-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种窄线宽DFB纳米等离子体激光器及其制备方法，属于光电技术领域。该激光器包括衬底、纳米结构、绝缘层、金属膜、电极及电极引线、布拉格光栅结构。本发明通过在传统的纳米等离子体激光源器件上集成布拉格光栅结构，利用DFB线宽压缩技术，使激光器谐振腔内的有效折射率产生周期性的微扰，对激光器的纵向激射模式进行有选择性的正反馈，抑制其他模式，实现优质的窄线宽、单模、高稳定激光输出。本发明的窄线宽DFB纳米等离子体激光器在微纳传感、片上集成光源、激光雷达、泵浦光源、通信、光集成等领域有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN114019762A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111254057.0
申请日：2021-10-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种激光倏逝波近场干涉量子光刻制备纳米阵列的方法，属于光电技术领域。该方法首先将金属离子与稀土离子掺杂到光刻胶中，得到可在倏逝驻波光的作用下实现量子空间限制作用的复合离子掺杂光刻胶；然后将复合光刻胶旋涂在衬底上，通过多次旋涂和烘干，得到均匀、厚度较薄的光刻胶镀膜；再通过构建激光倏逝驻波近场干涉量子光刻系统，基于近场周期倏逝驻波光场与掺杂光刻胶的量子多光子曝光原理，进行激光倏逝驻波近场干涉量子光刻，得到纳米阵列。制备的纳米阵列具有周期可调、单元结构尺寸小、宏观量子性能优异等优势，使得纳米阵列器件具备优异的宏观量子效应性能。
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公开(公告)号：CN114014262A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111191935.9
申请日：2021-10-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/184 , C01B32/194 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯量子点阵列的微纳复合制备方法，属于光电技术领域。采用化学气相沉积法制备石墨烯薄膜，然后采用EBL光刻工艺完成石墨烯表面牺牲层及纳米阵列结构的初加工，保证量子点阵列的均匀性；然后进行FIB雕刻修饰，去除腐蚀过程中出现的棱边缺陷结构，降低棱边粗糙度，保证石墨烯量子点阵列的光洁性；最后腐蚀去除表面牺牲层，得到最后的石墨烯量子点阵列结构。本发明提出的表面牺牲层EBL辅助FIB加工技术是一种高精度微纳阵列加工技术，具有加工精度高、均匀性好、粗糙度低等特点，可广泛应用于微纳结构光电传感集成器件微加工制造；形成的石墨烯量子点阵列，对近红外波段具有吸收峰，可作为一种石墨烯量子点阵列的消光器件。
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公开(公告)号：CN112420900A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011223576.6
申请日：2020-11-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种贵金属纳米颗粒‑量子棒阵列的偏振器件制备方法，属于光电技术领域。所述方法利用激光倏逝驻波聚焦沉积技术，制备极化固定的贵金属银纳米颗粒线阵列基底，该银纳米颗粒线阵列基底与附有聚酰亚胺PI取向层的玻片复合作为量子棒的定向模板，在制备的复合定向结构中注射半导体量子棒溶液，制备贵金属纳米颗粒阵列‑定向半导体量子棒复合发光器件，同时实现量子棒阵列的荧光增强与偏振发光。该方法制备的贵金属阵列‑量子棒定向排列的复合结构，荧光强度可调且具有较高的偏振度，有助于为液晶显示技术、纳米表征技术、固态偏振光源技术提供新的原理和方法。
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