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公开(公告)号：CN104157692B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201410407304.X
申请日：2014-08-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，属于半导体器件领域。包括半导体衬底1、沟道区2、漂移区3、源区4、漏区5、栅氧6、场氧7、栅8、沟道衬底重掺杂区9、BOX层18、侧墙19、源极扩展区20，其中漂移区3为横向变掺杂结构，其特征在于，所述BOX层靠近漂移区一端沿漂移区宽度方向开有通槽，所述BOX层18位于沟道的正下方、或者位于沟道和部分源区的正下方、或者位于沟道和源区的正下方，以保证击穿电压的同时提升器件的频率特性和驱动能力。本发明有效抑制了短沟道效应，在保证击穿电压的同时提升频率特性和驱动能力。
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公开(公告)号：CN104157690B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410401006.X
申请日：2014-08-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法，属于半导体技术领域。技术方案为：带槽型结构的应变NLDMOS器件，包括半导体衬底、沟道掺杂区、漂移区、源重掺杂区、漏重掺杂区、栅氧、场氧、栅，还包括设置在漂移区的沿源漏方向的P型掺杂的槽型结构，所述槽型结构向漂移区宽度方向引入压应力、长度方向引入张应力。引入应力的方法为：向槽型结构区域淀积无定型材料，通过退火使无定型材料变成多晶材料过程中体积的膨胀引入应力，或者向槽型结构区域进行氧离子注入，退火使氧离子与硅反应生成二氧化硅，通过硅氧化过程中体积的膨胀引入应力。本发明器件在保证击穿电压的同时降低了漂移区的电阻，提升了器件的性能。
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公开(公告)号：CN104576721A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410811663.1
申请日：2014-12-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0607
Abstract: 本发明提出了一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管，属于半导体器件领域。本发明具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管包括半导体衬底1、源区2、本征区3、漏区4、栅氧层5、金属栅6、侧墙9，还包括位于本征区内的介质块10，所述介质块10设置在本征区与源区的交界面上，所述介质块可改变隧穿结位置的电场分布，使隧穿结处电场线更集中，从而提升开态电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104269436A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410430928.3
申请日：2014-08-28
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/41
Abstract: 本发明涉及半导体。本发明针对现有技术中，传统的LDMOS器件中提高击穿电压与降低导通电阻等之间存在矛盾的问题，提供采用两种性质的本征应变膜的应变LDMOS器件，包括半导体衬底，半导体衬底上形成沟道掺杂区、漂移区、源区及漏区，源区和漂移区之间的沟道掺杂区的表面上生长栅氧化层，栅氧化层上生长栅，漂移区至少覆盖有向漂移区引入应力的本征应变膜二，所述沟道掺杂区至少覆盖有向沟道掺杂区引入应力的本征应变膜一。通过向沟道区引及漂移区引入张应力或压应力，达到使沟道区和漂移区载流子的迁移率得到大幅提升的效果。适用于横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN104157690A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410401006.X
申请日：2014-08-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7847 , H01L29/0615 , H01L29/66681 , H01L29/7816
Abstract: 本发明提供了一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法，属于半导体技术领域。技术方案为：带槽型结构的应变NLDMOS器件，包括半导体衬底、沟道掺杂区、漂移区、源重掺杂区、漏重掺杂区、栅氧、场氧、栅，还包括设置在漂移区的沿源漏方向的P型掺杂的槽型结构，所述槽型结构向漂移区宽度方向引入压应力、长度方向引入张应力。引入应力的方法为：向槽型结构区域淀积无定型材料，通过退火使无定型材料变成多晶材料过程中体积的膨胀引入应力，或者向槽型结构区域进行氧离子注入，退火使氧离子与硅反应生成二氧化硅，通过硅氧化过程中体积的膨胀引入应力。本发明器件在保证击穿电压的同时降低了漂移区的电阻，提升了器件的性能。
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公开(公告)号：CN104576721B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201410811663.1
申请日：2014-12-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提出了一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管，属于半导体器件领域。本发明具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管包括半导体衬底1、源区2、本征区3、漏区4、栅氧层5、金属栅6、侧墙9，还包括位于本征区内的介质块10，所述介质块10设置在本征区与源区的交界面上，所述介质块可改变隧穿结位置的电场分布，使隧穿结处电场线更集中，从而提升开态电流。
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公开(公告)号：CN104157692A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410407304.X
申请日：2014-08-18
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L29/7824 , H01L29/0649
Abstract: 本发明公开了一种克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，属于半导体器件领域。包括半导体衬底1、沟道区2、漂移区3、源区4、漏区5、栅氧6、场氧7、栅8、沟道衬底重掺杂区9、BOX层18、侧墙19、源极扩展区20，其中漂移区3为横向变掺杂结构，其特征在于，所述BOX层靠近漂移区一端沿漂移区宽度方向开有通槽，所述BOX层18位于沟道的正下方、或者位于沟道和部分源区的正下方、或者位于沟道和源区的正下方，以保证击穿电压的同时提升器件的频率特性和驱动能力。本发明有效抑制了短沟道效应，在保证击穿电压的同时提升频率特性和驱动能力。
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公开(公告)号：CN104269436B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410430928.3
申请日：2014-08-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体。本发明针对现有技术中，传统的LDMOS器件中提高击穿电压与降低导通电阻等之间存在矛盾的问题，提供采用两种性质的本征应变膜的应变LDMOS器件，包括半导体衬底，半导体衬底上形成沟道掺杂区、漂移区、源区及漏区，源区和漂移区之间的沟道掺杂区的表面上生长栅氧化层，栅氧化层上生长栅，漂移区至少覆盖有向漂移区引入应力的本征应变膜二，所述沟道掺杂区至少覆盖有向沟道掺杂区引入应力的本征应变膜一。通过向沟道区引及漂移区引入张应力或压应力，达到使沟道区和漂移区载流子的迁移率得到大幅提升的效果。适用于横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。
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