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公开(公告)号:CN107024958B
公开(公告)日:2018-04-13
申请号:CN201710274232.X
申请日:2017-04-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F3/16
Abstract: 一种具有快速负载瞬态响应的线性稳压电路,属于电源管理技术领域。包括钳位运放电路和含自适应调整电路的缓冲输出级电路,可以应用于数字负载,钳位运放电路输入基准电压,得到与需要的电压大小相等的电压作为一个参考电压,再通过具有一定带载能力的缓冲输出级得到最终需要的电压;本发明加入自适应调整电路,使得输出电压在全负载范围内的变化量减小很多,其带载能力也有所增强。本发明在简化电路结构复杂性的同时,有效的实现了快速的负载瞬态响应以及较小的输出电压变化量ΔVout。
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公开(公告)号:CN107168453A
公开(公告)日:2017-09-15
申请号:CN201710533403.6
申请日:2017-07-03
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 一种基于纹波预放大的全集成低压差线性稳压器,属于电源管理技术领域。跨导放大器的正向输入端连接基准电压Vref,其负向输入端连接反馈电压Vfb,其输出端连接跨阻放大器的负向输入端和误差放大器的负向输入端,跨阻放大器的正向输入端接地GND,其输出端接误差放大器的正向输入端;功率管MP的栅极连接误差放大器的输出端,其源极连接输入电压VIN,其漏极通过第一分压电阻Rf1和第二分压电阻Rf2的串联结构后接地GND,所述第一分压电阻Rf1和第二分压电阻Rf2的串联点输出反馈电压Vfb,密勒电容CL接在功率管MP的漏极和地GND之间;补偿电路接在功率管MP的漏极和第一分压电阻Rf1与第二分压电阻Rf2的串联点之间。本发明在实现快速瞬态响应的同时减小了密勒电容。
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公开(公告)号:CN107085138B
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201710274231.5
申请日:2017-04-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G01R19/25
Abstract: 一种高分辨率负电平检测电路,属于电源管理技术领域。本发明在一个周期内工作在钳位运放模式和比较器模式,通过模式切换的方式将失调产生电阻R4上产生的压降△VR4复制,实现了对同步调整管的漏源电压在‑5mV时的负电平检测;为了使失调产生电阻R4上的压降△VR4恒定,引入由第十七PMOS管MP17和第十八PMOS管MP18构成的差分对;另外,为了消除工艺偏差带来的影响,引入修调电阻R3对失调产生电阻R4的压降△VR4进行修调。本发明实现了负电平的精确检测,分辨率可以达到毫伏级,能够满足对自适应同步整流控制电路的应用需求。
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公开(公告)号:CN107168453B
公开(公告)日:2018-07-13
申请号:CN201710533403.6
申请日:2017-07-03
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F3/26
Abstract: 一种基于纹波预放大的全集成低压差线性稳压器,属于电源管理技术领域。跨导放大器的正向输入端连接基准电压Vref,其负向输入端连接反馈电压Vfb,其输出端连接跨阻放大器的负向输入端和误差放大器的负向输入端,跨阻放大器的正向输入端接地GND,其输出端接误差放大器的正向输入端;功率管MP的栅极连接误差放大器的输出端,其源极连接输入电压VIN,其漏极通过第一分压电阻Rf1和第二分压电阻Rf2的串联结构后接地GND,所述第一分压电阻Rf1和第二分压电阻Rf2的串联点输出反馈电压Vfb,密勒电容CL接在功率管MP的漏极和地GND之间;补偿电路接在功率管MP的漏极和第一分压电阻Rf1与第二分压电阻Rf2的串联点之间。本发明在实现快速瞬态响应的同时减小了密勒电容。
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公开(公告)号:CN107085138A
公开(公告)日:2017-08-22
申请号:CN201710274231.5
申请日:2017-04-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G01R19/25
CPC classification number: G01R19/2503
Abstract: 一种高分辨率负电平检测电路,属于电源管理技术领域。本发明在一个周期内工作在钳位运放模式和比较器模式,通过模式切换的方式将失调产生电阻R4上产生的压降△VR4复制,实现了对同步调整管的漏源电压在‑5mV时的负电平检测;为了使失调产生电阻R4上的压降△VR4恒定,引入由第十七PMOS管MP17和第十八PMOS管MP18构成的差分对;另外,为了消除工艺偏差带来的影响,引入修调电阻R3对失调产生电阻R4的压降△VR4进行修调。本发明实现了负电平的精确检测,分辨率可以达到毫伏级,能够满足对自适应同步整流控制电路的应用需求。
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公开(公告)号:CN107024958A
公开(公告)日:2017-08-08
申请号:CN201710274232.X
申请日:2017-04-25
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G05F3/16
CPC classification number: G05F3/16
Abstract: 一种具有快速负载瞬态响应的线性稳压电路,属于电源管理技术领域。包括钳位运放电路和含自适应调整电路的缓冲输出级电路,可以应用于数字负载,钳位运放电路输入基准电压,得到与需要的电压大小相等的电压作为一个参考电压,再通过具有一定带载能力的缓冲输出级得到最终需要的电压;本发明加入自适应调整电路,使得输出电压在全负载范围内的变化量减小很多,其带载能力也有所增强。本发明在简化电路结构复杂性的同时,有效的实现了快速的负载瞬态响应以及较小的输出电压变化量ΔVout。
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公开(公告)号:CN119377089B
公开(公告)日:2025-04-22
申请号:CN202411512898.0
申请日:2024-10-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F11/3604 , G06N3/126
Abstract: 本发明公开了一种面向分布式专家系统的可靠性验证方法,属于智能软件工程技术领域,该方法包括:结合分布式专家系统的特性,设计目标评估函数;设计目标评估函数时,综合考虑了专家区域覆盖目标、故障种类覆盖目标、专家服务调用覆盖目标、故障持续时间目标、故障扩散目标、非冗余注入故障组合方案目标和引发异常数目标;利用改进的遗传算法求解目标评估函数,得到最优注入故障组合方案;利用故障注入工具,将最优注入故障组合方案注入分布式专家系统得到可靠性验证结果。本发明展示了如何智能生成注入故障组合方案,通过生成的注入故障组合方案可以提升系统的弹性,确保系统在面对各种潜在故障和挑战时,能够保持稳定运行并快速恢复。
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公开(公告)号:CN107346943A
公开(公告)日:2017-11-14
申请号:CN201710564643.2
申请日:2017-07-12
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02B70/1475 , H02M7/217 , H02M1/08 , H02M1/32 , H02M3/33592 , H02M2001/0054 , H02M2007/2195
Abstract: 适用于DCM和CCM的双模式同步整流控制电路,属于电源管理技术领域。本发明结构简单,能够有效地减小整流导通损耗,实现同步整流的高效率。其中,第二负电平检测器实现了极小的死区时间控制;关断时间屏蔽模块防止同步整流管M2的误开启,开启时间屏蔽模块防止同步整流管M2的误关断;第一采样端采用高压器件LDMOS和DEMOS的漏极来承受高压,避免了用齐纳管对同步整流管M2的漏端VD进行箝位,防止同步整流管M2的漏端VD对地泄放电流;以上措施共同实现了同步整流的高效率;另外引入了同步控制模块,实现了电流连续模式CCM下的同步整流。
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公开(公告)号:CN119377089A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202411512898.0
申请日:2024-10-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F11/3604 , G06N3/126
Abstract: 本发明公开了一种面向分布式专家系统的可靠性验证方法,属于智能软件工程技术领域,该方法包括:结合分布式专家系统的特性,设计目标评估函数;设计目标评估函数时,综合考虑了专家区域覆盖目标、故障种类覆盖目标、专家服务调用覆盖目标、故障持续时间目标、故障扩散目标、非冗余注入故障组合方案目标和引发异常数目标;利用改进的遗传算法求解目标评估函数,得到最优注入故障组合方案;利用故障注入工具,将最优注入故障组合方案注入分布式专家系统得到可靠性验证结果。本发明展示了如何智能生成注入故障组合方案,通过生成的注入故障组合方案可以提升系统的弹性,确保系统在面对各种潜在故障和挑战时,能够保持稳定运行并快速恢复。
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公开(公告)号:CN107491129B
公开(公告)日:2018-11-09
申请号:CN201710674465.9
申请日:2017-08-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种高电源抑制比的低压差线性稳压器,属于电源管理技术领域。功率管的漏极通过第一分压电阻后连接第二分压电阻的一端和误差放大器的第一输入端,误差放大器的第二输入端接基准电压;钳位运放及前馈通路中第十四NMOS管MN14的栅极连接第十五NMOS管MN15的栅极和误差放大器的输出端,其漏极连接第十PMOS管MP10的漏极、第九PMOS管MP9的栅极和超级源随结构的正向输入端;第十PMOS管MP10的源极连接第九PMOS管MP9的漏极;第十一PMOS管MP11的栅漏短接并连接第十PMOS管MP10的栅极和第十五NMOS管MN15的漏极,其源极连接功率管的漏极;超级源随结构的负向输入端连接其输出端和功率管的栅极。本发明通过引入超级源随结构和钳位运放,提高了LDO高频段的电源抑制PSR。
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