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公开(公告)号:CN118759771A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202410915291.0
申请日:2024-07-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G02F1/1514 , G02F1/153 , G02F1/155 , B60J1/00
Abstract: 本发明提供了一种基于铁电极化的非易失电调制变色玻璃,包括两块透明的玻璃(或塑料),以及安装在两块透明玻璃之间的两个透明导电层,铁电材料层、离子存储层、电解质层、电致变色层;所述的两个透明导电层分别紧贴两块透明玻璃(或塑料),铁电材料层紧贴其中一个透明导电层,离子存储层紧贴铁电材料层,电解质层紧贴离子存储层,电致变色层一侧紧贴电解质层,另一侧紧贴另一个透明导电层。本发明利用铁电极化的非易失存储性能,添加脉冲电压后,驱动离子移动到电致变色层,从而发生化学反应,导致其颜色发生变化,变得不透明;撤去脉冲电压后,由于铁电材料具有非易失的性能,变色玻璃仍然会保持不透明。
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公开(公告)号:CN118265408A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202410386919.2
申请日:2024-04-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法,属于太阳能电池技术领域,先基于CsI、FAI和PbBr2配制宽带隙钙钛矿前驱体溶液;再基于CsI、FAI、FABr和Pb(SCN)2配制添加剂溶液,将其与宽带隙钙钛矿前驱体溶液混合,旋涂于衬底上,经退火制得宽带隙钙钛矿薄膜。本发明添加的Pb(SCN)2有助于增大钙钛矿晶粒尺寸,减少晶粒和晶界的缺陷,添加的CsI、FAI和FABr将与副产物PbX2生成宽带隙钙钛矿,避免薄膜中副产物PbX2的生成;过量的FAI和FABr可有效钝化晶界缺陷,阻断离子迁移的优选路径,抑制相分离现象;本发明应用于反式钙钛矿太阳电池中,可降低开路电压损失,提高器件光电效率。
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公开(公告)号:CN118302011A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202410461706.1
申请日:2024-04-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/40 , H10K30/40 , H10K30/50 , H10K39/15 , H10K85/50 , H01L31/0236 , H01L31/042
Abstract: 本发明提供了一种基于大绒面晶硅底电池的钙钛矿三结叠层电池制备方法,属于太阳能电池制造技术领域,具体包括在大绒面晶硅底电池上依次制备第一互连层、中间带隙空穴传输层、中间带隙钙钛矿层、中间带隙电子传输层、第二互连层、宽带隙空穴传输层、宽带隙钙钛矿层、宽带隙电子传输层、缓冲层、导电层和金属电极的步骤;其中宽带隙钙钛矿层通过先通过旋涂法制备第一层宽带隙钙钛矿,退火后制备第二层宽带隙钙钛矿,再次退火得到,第一层宽带隙钙钛矿与第二层宽带隙钙钛矿的组份相同。本发明利用两次连续沉积,实现大绒面上宽带隙钙钛矿层的保形覆盖和致密生长,并厚度适中,解决叠层太阳电池器件漏电问题,全面提升光电性能。
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