公开(公告)号：CN118709626A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410647667.4

申请日：2024-05-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  唐于晰 ,  江逸洵 ,  张波

IPC: G06F30/367 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明公开一种利用栅电荷曲线Qg提取SiC MOSFET模型参数的方法。所述方法通过获取所述器件在栅电荷测试电路下的Vgs‑time曲线、Vds‑time曲线、Ids‑time曲线，从中提取高漏压下的直流信息、电荷信息以及电容信息，然后利用所述模型进行曲线拟合，提取相应模型参数。与传统的参数提取方法相比，本发明不仅可以准确捕捉SiC MOSFET动态性能，同时能够在各种负载条件下捕捉包括“密勒斜坡”期间在内的开关行为，大大提高了器件建模的准确性与高效性。

公开(公告)号：CN118569181A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410768235.9

申请日：2024-06-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 叶星宁 ,  孔庆丰 ,  江逸洵 ,  唐于晰 ,  邹明洋 ,  乔明 ,  张波

IPC: G06F30/367 ,  G06F17/17

Abstract: 本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET总剂量效应的紧凑SPICE模型建模方法，涉及集成电路技术领域，通过拟合不同测试条件以及辐射剂量下的模型，然后将拟合所用的各个参数采用三次分段差值Hermite法得到剂量与参数之间的插值函数，再将得到的函数带入到模型中，即可得到所测试的最大区间内任意辐射剂量下的模型。本发明提供了在一定辐射剂量下提供了一种精准的屏蔽栅沟槽MOSFET总剂量效应的紧凑SPICE模型建模方法。此建模方法准确的反应了SGT MOSFET遭受不同剂量TID效应后直流特性、电容特性与栅电荷的不同程度退化，可以高效精确的用于抗辐射领域的电路仿真。