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公开(公告)号：CN116362035A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310315631.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: G06F30/20 , G06F17/11 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种硅基GaN HEMT器件衬底偏置效应仿真建模方法。本发明基于薛定谔泊松方程为基础，考虑GaN HEMT器件在衬底偏置时由于场效应导致的阈值电压漂移以及动态导通电阻退化，将器件所受衬底偏压构建为与器件阈值漂移量一阶线性相关。基于陷阱中心对沟道载流子的捕获与释放效应以及GaN Buffer层的正电荷存储效应，利用SRH统计，构建出不同脉冲衬底偏压大小与GaN HEMT阈值电压和迁移率的非线性指数型关系，最终衬底偏压对模型参数的改变量输入GaN HEMT核心漏极电流解析模型，并应用GaN HEMT器件的大信号仿真与电路设计中，通过测试数据与电路仿真验证了该模型对衬底偏置效应模拟的有效性。
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公开(公告)号：CN114421776B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210058310.3
申请日：2022-01-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及集成电路领域与开关电源领域，公开了一种混合隔离型降压变换器的设计。混合隔离型拓扑结构结合了开关电容电压变换器和开关电感电压变换器，飞电容承担了部分电压降，因此功率开关管的电压应力也会降低。由于开关节点处的电压摆幅较小，开关损耗随之减小。可以使用更低压的开关管，实现开关管导通损耗减小。通过时序控制，利用谐振可以实现开关管的零电压开启(ZVS)或者低电压开启(LVS)，进而实现开关管开关损耗减小。与传统全桥变换器相比，提出的混合隔离型降压变换器极大地提高了能量转换效率。
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公开(公告)号：CN114256822B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202111574406.7
申请日：2021-12-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02H9/02
Abstract: 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，公开了一种GaN基静电放电(ESD)保护电路解决方案。所述ESD保护电路包含增强型p‑GaN HEMT器件和限流电阻。本发明由触发电路和静电流泄放电路组成，利用增强型p‑GaN HEMT器件的栅漏二极管连接方式控制触发电压，并利用限流电阻控制漏电流和泄放电路，同时利用栅极与源极同电位时，能够反向导通的能力，从而实现二极管组防护电路所不具备的双向防护功能。在相同的防护等级下，该发明与二极管组防护电路相比能显著降低漏电流，从而降低由漏电流引起的功耗。
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公开(公告)号：CN115296540A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210252921.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及集成电路领域与开关电源领域，公开了一种新型混合隔离型降压变换器。本发明的混合隔离型降压变换器的开关节点处的电压摆幅为1/2输入电压，而传统隔离型降压变换器(全桥变换器、半桥变换器)开关节点处的电压摆幅为输入电压，本发明的开关损耗与传统结构相比可以得到减小。此外，电路开关节点电压摆幅减小，使其可以使用更低压的开关管，实现开关管导通损耗减小。通过时序控制，利用谐振可以实现开关管的零电压开启(ZVS)或者低电压开启(LVS)，进而实现开关管的开关损耗减小。与传统隔离型降压变换器(全桥变换器、半桥变换器)相比，本发明提出的新型混合隔离型降压变换器极大地提高了能量转换效率。
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公开(公告)号：CN114301044B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202111574397.1
申请日：2021-12-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 本文涉及一种基于Ⅲ族氮化物的静电放电(ESD)保护电路解决方案。所述ESD保护电路包含二极管、第一晶体管、第二晶体管、第一限流电阻和第二限流电阻。所述的二极管为N个二极管串联，其一个二极管的阳极电连接到另一个二极管的阴极；所述的第一Ⅲ族氮化物晶体管，其漏极具有电连接到所述串联的二极管的阴极，及其漏极具有电连接到第一限流电阻的一端；所述的第一Ⅲ族氮化物晶体管，其栅极具有电连接到所述的第二Ⅲ族氮化物晶体管的源极，及其栅极具有电连接到所述第二限流电阻的一端；所述的第一Ⅲ族氮化物晶体管，其源极具有电连接到所述第二限流电阻的另一端；所述的第二Ⅲ族氮化物晶体管，其漏极具有电连接到第一限流电阻的另一端；所述的第二Ⅲ族氮化物晶体管，其栅极具有电连接到所述串联的二极管的阳极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114301044A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111574397.1
申请日：2021-12-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 本文涉及一种基于Ⅲ族氮化物的静电放电(ESD)保护电路解决方案。所述ESD保护电路包含二极管、第一晶体管、第二晶体管、第一限流电阻和第二限流电阻。所述的二极管为N个二极管串联，其一个二极管的阳极电连接到另一个二极管的阴极；所述的第一Ⅲ族氮化物晶体管，其漏极具有电连接到所述串联的二极管的阴极，及其漏极具有电连接到第一限流电阻的一端；所述的第一Ⅲ族氮化物晶体管，其栅极具有电连接到所述的第二Ⅲ族氮化物晶体管的源极，及其栅极具有电连接到所述第二限流电阻的一端；所述的第一Ⅲ族氮化物晶体管，其源极具有电连接到所述第二限流电阻的另一端；所述的第二Ⅲ族氮化物晶体管，其漏极具有电连接到第一限流电阻的另一端；所述的第二Ⅲ族氮化物晶体管，其栅极具有电连接到所述串联的二极管的阳极。
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公开(公告)号：CN101216718A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710051001.9
申请日：2007-12-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F3/30
Abstract: 本发明公开了一种分段线性温度补偿电路及温度补偿电压基准源。分段线性温度补偿电路，包括电阻和三极管，其中，电阻至少为两个，三极管的基极与输入端口相连构成输入端，第一电阻一端与输入端口连接另一端与地线连接；三极管的发射极通过第二电阻与地线连接，三极管的集电极构成输出端。电压基准源中，带隙基准源和正温系数电流产生电路的输入端分别与启动电路的输出端连接，带隙基准源和正温系数电流产生电路的输出端分别与叠加求和输出电路和分段线性温度补偿电路连接，分段线性温度补偿电路输出端连接叠加求和输出电路。本发明降低了电阻温度系数对输出量的影响，具有良好的工艺兼容性和温度稳定性。
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公开(公告)号：CN118174532A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410293319.1
申请日：2024-03-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，提出了一种全GaN集成的自适应死区控制电路。本发明基于主流P‑GaN栅增强型GaN集成工艺平台，所提出的自适应死区时间控制电路包含死区时间产生电路模块和负压检测电路模块。本发明提出利用GaN基器件构建基本数字逻辑门电路并结合电容延迟实现具有固定死区时间的高低侧驱动控制信号，另外通过负压检测电路调节电容的充放电电流大小，从而改变死区时间，最终实现跟随输出节点变化的自适应死区时间控制。相较于传统固定死区时间控制的驱动控制电路，该发明可降低死区时间内由于GaN HEMT器件反向导通引起的导通损耗，为今后GaN功率转换电路中死区时间调控提供一种技术方案。
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公开(公告)号：CN116207128A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310209979.2
申请日：2023-03-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有反向阻断能力的薄势垒GaNHEMT器件。本发明中器件漏极分为两个部分，一部分是欧姆接触结构用于正向电流传导，另一部分是MIS结构用来实现反向阻断和减小反向泄漏电流。本发明采用了3‑6nm的薄AlGaN势垒层，避免了常规势垒中为实现零偏压时沟道2DEG的耗尽而刻蚀AlGaN势垒层造成刻蚀损伤。同时引入电荷恢复层来恢复薄势垒结构中的沟道2DEG密度，使器件具有较好的电流能力。本发明所提出的具有反向阻断能力的薄势垒GaNHEMT器件有着工艺简单，反向泄露电流小和耐压能力强等优点。
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公开(公告)号：CN101216718B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710051001.9
申请日：2007-12-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F3/30
Abstract: 本发明公开了一种分段线性温度补偿电路及温度补偿电压基准源。分段线性温度补偿电路，包括电阻和三极管，其中，电阻至少为两个，三极管的基极与输入端口相连构成输入端，第一电阻一端与输入端口连接另一端与地线连接；三极管的发射极通过第二电阻与地线连接，三极管的集电极构成输出端。电压基准源中，带隙基准源和正温系数电流产生电路的输入端分别与启动电路的输出端连接，带隙基准源和正温系数电流产生电路的输出端分别与叠加求和输出电路和分段线性温度补偿电路连接，分段线性温度补偿电路输出端连接叠加求和输出电路。本发明降低了电阻温度系数对输出量的影响，具有良好的工艺兼容性和温度稳定性。
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