公开(公告)号：CN105932043A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610312628.4

申请日：2016-05-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  史建东 ,  陈钱 ,  刘永 ,  李佳驹 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7398 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及具有超势垒集电极结构的IGBT器件及其制造方法。本发明器件的集电极结构通过MOS沟道,利用MOS的体效应降低了势垒高度，为电子创建一个“超势垒”，即此集电极结构势垒MOS比以往的IGBT背部PN结势垒电压低，因此本发明的IGBT在小于0.7V的电压下就可以开启，且该结构同样存在电导调制效应，减小了IGBT导通时的正向压降。关断时，集电极处于开启状态的MOS沟道加快了发射极附近的过剩载流子的抽取过程。因此，本发明发射极采用超势垒结构的IGBT，降低了开关损耗的同时，正向压降得以减小，开关优值得到大幅的降低。

公开(公告)号：CN105977288B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201610310899.6

申请日：2016-05-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  史建东 ,  陈钱 ,  刘永 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及具有超势垒集电极结构的LIGBT器件及其制造方法。本发明器件的集电极结构通过MOS沟道,利用MOS的体效应降低了势垒高度，为电子创建一个“超势垒”，即此集电极结构势垒MOS比传统的IGBT背部PN结势垒电压低，因此本发明的IGBT在小于0.7V的电压下就可以开启，且该结构同样存在电导调制效应，减小了IGBT导通时的正向压降；关断时，集电极处于开启状态的MOS沟道加快了发射极附近的过剩载流子的抽取过程，降低了器件的开关损耗；同时，本发明器件的制作并不需要额外工艺步骤，与现有的集成电路制造工艺完全兼容。

公开(公告)号：CN105977288A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610310899.6

申请日：2016-05-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  史建东 ,  陈钱 ,  刘永 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及具有超势垒集电极结构的LIGBT器件及其制造方法。本发明器件的集电极结构通过MOS沟道,利用MOS的体效应降低了势垒高度，为电子创建一个“超势垒”，即此集电极结构势垒MOS比传统的IGBT背部PN结势垒电压低，因此本发明的IGBT在小于0.7V的电压下就可以开启，且该结构同样存在电导调制效应，减小了IGBT导通时的正向压降；关断时，集电极处于开启状态的MOS沟道加快了发射极附近的过剩载流子的抽取过程，降低了器件的开关损耗；同时，本发明器件的制作并不需要额外工艺步骤，与现有的集成电路制造工艺完全兼容。