高压碳化硅器件的结终端扩展结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN113053997B

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202011588647.2

    申请日:2020-12-28

    Abstract: 本发明公开了一种高压碳化硅功率器件的结终端扩展结构及其制造方法,该扩展结构包括N+型衬底、N‑型漂移区、第一P型结终端扩展区、第二P型结终端扩展区、P型主结、N+场截止环、第一金属电极层和第二金属电极层,第一P型结终端扩展区和第二P型结终端扩展区分别注入高低不同的浓度,同时将第一P型结终端扩展区和第二P型结终端扩展区在版图上通过直角三角形或直角梯形斜边对接平铺形成。本发明通过两种掺杂P型结终端扩展区在第三维度交叉结合,从而实现碳化硅终端结构等效横向变掺杂,使电场均匀分布,在保证终端效率的前提下缩小终端面积,从而能制造出芯片面积更小的高压碳化硅功率器件。

    高压碳化硅器件的结终端扩展结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN113053997A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202011588647.2

    申请日:2020-12-28

    Abstract: 本发明公开了一种高压碳化硅功率器件的结终端扩展结构及其制造方法,该扩展结构包括N+型衬底、N‑型漂移区、第一P型结终端扩展区、第二P型结终端扩展区、P型主结、N+场截止环、第一金属电极层和第二金属电极层,第一P型结终端扩展区和第二P型结终端扩展区分别注入高低不同的浓度,同时将第一P型结终端扩展区和第二P型结终端扩展区在版图上通过直角三角形或直角梯形斜边对接平铺形成。本发明通过两种掺杂P型结终端扩展区在第三维度交叉结合,从而实现碳化硅终端结构等效横向变掺杂,使电场均匀分布,在保证终端效率的前提下缩小终端面积,从而能制造出芯片面积更小的高压碳化硅功率器件。

    一种基于低秩矩阵表示的目标跟踪方法

    公开(公告)号:CN105513093B

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201510916027.X

    申请日:2015-12-10

    Abstract: 本发明公开了一种基于低秩矩阵表示的目标跟踪方法,属于图像处理技术领域,解决了传统方法中在目标遮挡等条件下跟踪不稳定的问题。本发明不仅对全局特征进行低秩矩阵表示,也对跟踪目标的局部特征进行低秩矩阵表示,从而使得对目标的描述不仅包含了全局特征也包含了局部特征,使得对目标的跟踪具有更好的鲁棒性。不同于稀疏表示对粒子单独进行处理的方法,本发明利用了粒子间的相似性,将各粒子的系数向量组成系数矩阵,并对系数矩阵加了秩最小的限制,从而降低了算法的运算量。而为了抑制目标跟踪过程中的漂移现象,本发明还纳入了与目标距离较远的背景模板,通过寻找背景模板系数尽可能小的目标模板尽可能大的目标,达到更好的跟踪效果。

    一种内窥镜用2K高清耦合器光学系统

    公开(公告)号:CN118091925A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410295842.8

    申请日:2024-03-15

    Inventor: 代志勇 刘瑞

    Abstract: 本发明涉及一种内窥镜用2K高清耦合器光学系统,属于光学成像技术领域,为匹配2K高清分辨率图像传感芯片,本发明利用照相物镜的设计思想,选用双高斯型照相物镜,在保证整个系统成像质量趋近衍射极限的同时,还能使内窥镜耦合器光学系统结构紧凑,具有较大后工作距为内窥镜三晶片摄像系统装配预留足够空间,且可实现可见到近红外宽波段成像等优点,适宜应用于2K高清内窥镜耦合器光学系统中,达到高清成像的目的。

    高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN113161408B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202011588662.7

    申请日:2020-12-28

    Abstract: 本发明公开了一种高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法,包括第一金属电极层、N+型衬底、N‑型漂移区、N型沟道和N型保护环;相邻N型沟道之间的N‑型漂移区内设有源区P+型保护环,相邻N型保护环之间的N‑型漂移区内设有终端P+型保护环,相邻N型沟道和N型保护环之间设有过渡区,相邻的N型沟道之间、N型过渡区和N型保护环之间、相邻N型保护环之间都为沟槽;本发明同时形成有源区肖特基金属下的沟道区域和终端区嵌入钝化层的N型保护环结构,能够在重复雪崩、高温高压、长时间老化等极端应力下保持稳定的阻断电压而不发生漂移,且提高器件可靠性的同时不牺牲器件其他电学参数。

    高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN113161408A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202011588662.7

    申请日:2020-12-28

    Abstract: 本发明公开了一种高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法,包括第一金属电极层、N+型衬底、N‑型漂移区、N型沟道和N型保护环;相邻N型沟道之间的N‑型漂移区内设有源区P+型保护环,相邻N型保护环之间的N‑型漂移区内设有终端P+型保护环,相邻N型沟道和N型保护环之间设有过渡区,相邻的N型沟道之间、N型过渡区和N型保护环之间、相邻N型保护环之间都为沟槽;本发明同时形成有源区肖特基金属下的沟道区域和终端区嵌入钝化层的N型保护环结构,能够在重复雪崩、高温高压、长时间老化等极端应力下保持稳定的阻断电压而不发生漂移,且提高器件可靠性的同时不牺牲器件其他电学参数。

    一种手掌静脉识别汽车身份识别及其控制方法

    公开(公告)号:CN113505631A

    公开(公告)日:2021-10-15

    申请号:CN202110440469.7

    申请日:2021-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于手掌静脉识别的汽车身份识别及其控制方法,其包括:两个手掌静脉采集装置、门锁控制装置、座椅调节装置、方向盘调节装置、后视镜调节装置、影音娱乐装置、存储装置、中央控制器;手掌静脉采集装置用来采集用户手掌静脉信息并将该信息传输到中央控制器;用户信息检验通过后发送相关指令给控制中心,从而做出相应的偏好设置;中央控制器具备4G/5G通讯功能,可通过手机APP进行控制与交互;手掌静脉识别装置可以将已经录入的身份设置偏好,从而避免了每次用车需要调节的麻烦;手掌静脉识别装置相对于传统的钥匙解锁,可以避免去车内拿东西时钥匙不在或者钥匙丢失的情况,从而快捷打开车门;增强了车辆的安全性与便捷性。

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