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公开(公告)号：CN110729979B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201910937624.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 电子科技大学
Abstract: 本发明属于声波滤波器技术领域，涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构；封装方法包括在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片；将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形，针对外部引线制作出相应的导通孔；将芯片和金属图形正对后进行金属键合，并形成键合层金属，从导通孔连接至晶圆；在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层再进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除以外的金属种子层；再制作外电极和外部电路结构，在外电极表面制作外部焊球。本发明通过金属键合，使器件内部与外部形成了隔绝的两个部分，从而保护裸芯片表面不被污染以及密封的效果能满足气密(56)对比文件US 2010301703 A1,2010.12.02P.R. Morrow 等.Three-dimensionalwafer stacking via Cu-Cu bondingintegrated with 65-nm strained-Si/low-kCMOS technology《.IEEE Electron DeviceLetters》.2006,第27卷(第5期),335-337.Steen, S.E.a 等.Overlay as the key todrive wafer scale 3D integration.《Microelectronic Engineering》.2007,第84卷(第5-8期),1412-1415.陈永星 等.X波段铁氧体微带环行器阵列封装设计与仿真《.磁性材料及器件》.2019,第50卷(第3期),25-28+69.王祥邦 等.基于晶圆级封装技术的声表面波滤波器《.电子与封装》.2019,第19卷(第7期),1-3+32.肖立 等.晶圆级封装对声表滤波器性能的影响《.压电与声光》.2016,第38卷(第4期),628-632.
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公开(公告)号：CN114640322A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210305142.3
申请日：2022-03-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H3/04
Abstract: 一种调控FBAR滤波器中心频率的方法，属于滤波器制备技术领域。包括调频层的制备、调频层的图形化、一次调频、隔离层的制备、隔离层的图形化和二次调频过程。本发明提供的一种调控FBAR滤波器中心频率的方法，在调频层上沉积ScAlN薄膜作为隔离层，ScAlN不与显影液反应，能够解决FBAR滤波器在显影时产生的调频层腐蚀问题，可有效避免滤波器的频率偏移；同时，AlN调频层作为ScAlN薄膜生长的基底，可以同时充当溅射时的种子层，有利于提高ScAlN薄膜的择优取向，提高成膜质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114640320A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210305141.9
申请日：2022-03-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种改善FBAR滤波器性能的方法，属于滤波器制备技术领域。包括：1)FBAR滤波器的制备；2)FBAR滤波器放入退火炉内，向炉内通入氮气，使氮气的分压保持在99％以上；3)退火炉内的温度以2～6℃/min的升温速率由室温升至400℃，在400℃保温20～60min，完成后，以2～6℃/min的降温速率由400℃降至室温，取出。本发明通过将制备得到的FBAR滤波器整体进行退火处理，使各层薄膜结合得更紧密，薄膜交界处的缺陷降低，减轻声波在薄膜交界面产生漫反射而导致的能量损耗问题；同时，滤波器的中心频率、3dB带宽、相对带宽、插入损耗、矩形系数均有一定程度的提升。
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公开(公告)号：CN110649909B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201910937621.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 电子科技大学
Abstract: 本发明属于声表面波滤波器晶圆封装技术领域，具体涉及一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构，所述结构包括功能晶圆和有机感光膜盖板，在功能晶圆的中央包括多个工作面朝向相同的功能芯片；有机感光膜盖板位于功能晶圆的正上方，在有机感光膜盖板的四周向下叠放有多层台阶，其中，距离有机感光膜盖板最近的为第一层台阶，第一层台阶为有机感光膜台阶、第二层台阶为焊盘电极，且所述焊盘电极固定在功能晶圆上；在盖板的部分上表面、外表面以及每一层台阶的外表面制备有连续导通的金属种子层；在盖板的部分上表面的金属种子层上还包括外部焊球。本发明通过有机感光膜的方式避免了键合和刻蚀过程造成的裂片，缩短了工艺流程，降低了加工成本。
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公开(公告)号：CN110729979A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910937624.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 电子科技大学
Abstract: 本发明属于声波滤波器技术领域，涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构；封装方法包括在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片；将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形，针对外部引线制作出相应的导通孔；将芯片和金属图形正对后进行金属键合，并形成键合层金属，从导通孔连接至晶圆；在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层再进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除以外的金属种子层；再制作外电极和外部电路结构，在外电极表面制作外部焊球。本发明通过金属键合，使器件内部与外部形成了隔绝的两个部分，从而保护裸芯片表面不被污染以及密封的效果能满足气密封的要求，保护了薄膜体声波滤波器件的工作面，使器件可以正常工作。
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公开(公告)号：CN110649909A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910937621.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所 , 电子科技大学
Abstract: 本发明属于声表面波滤波器晶圆封装技术领域，具体涉及一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构，所述结构包括功能晶圆和有机感光膜盖板，在功能晶圆的中央包括多个工作面朝向相同的功能芯片；有机感光膜盖板位于功能晶圆的正上方，在有机感光膜盖板的四周向下叠放有多层台阶，其中，距离有机感光膜盖板最近的为第一层台阶，第一层台阶为有机感光膜台阶、第二层台阶为焊盘电极，且所述焊盘电极固定在功能晶圆上；在盖板的部分上表面、外表面以及每一层台阶的外表面制备有连续导通的金属种子层；在盖板的部分上表面的金属种子层上还包括外部焊球。本发明通过有机感光膜的方式避免了键合和刻蚀过程造成的裂片，缩短了工艺流程，降低了加工成本。
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公开(公告)号：CN114640322B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210305142.3
申请日：2022-03-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H3/04
Abstract: 一种调控FBAR滤波器中心频率的方法，属于滤波器制备技术领域。包括调频层的制备、调频层的图形化、一次调频、隔离层的制备、隔离层的图形化和二次调频过程。本发明提供的一种调控FBAR滤波器中心频率的方法，在调频层上沉积ScAlN薄膜作为隔离层，ScAlN不与显影液反应，能够解决FBAR滤波器在显影时产生的调频层腐蚀问题，可有效避免滤波器的频率偏移；同时，AlN调频层作为ScAlN薄膜生长的基底，可以同时充当溅射时的种子层，有利于提高ScAlN薄膜的择优取向，提高成膜质量。
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