公开(公告)号：CN110729979A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910937624.9

申请日：2019-09-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所 ,  电子科技大学

Inventor： 刘娅 ,  马晋毅 ,  孙科 ,  徐阳 ,  余忠 ,  蒋平英 ,  兰中文 ,  田本郎 ,  邬传健 ,  谭发增 ,  蒋晓娜 ,  郭荣迪 ,  杨正兵 ,  唐小龙

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明属于声波滤波器技术领域，涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构；封装方法包括在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片；将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形，针对外部引线制作出相应的导通孔；将芯片和金属图形正对后进行金属键合，并形成键合层金属，从导通孔连接至晶圆；在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层再进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除以外的金属种子层；再制作外电极和外部电路结构，在外电极表面制作外部焊球。本发明通过金属键合，使器件内部与外部形成了隔绝的两个部分，从而保护裸芯片表面不被污染以及密封的效果能满足气密封的要求，保护了薄膜体声波滤波器件的工作面，使器件可以正常工作。

公开(公告)号：CN110649909A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910937621.5

申请日：2019-09-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所 ,  电子科技大学

Inventor： 刘娅 ,  马晋毅 ,  孙科 ,  杨正兵 ,  兰中文 ,  田本郎 ,  余忠 ,  谭发增 ,  邬传健 ,  徐阳 ,  蒋晓娜 ,  杜雪松 ,  蒋平英 ,  郭荣迪

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/02 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明属于声表面波滤波器晶圆封装技术领域，具体涉及一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构，所述结构包括功能晶圆和有机感光膜盖板，在功能晶圆的中央包括多个工作面朝向相同的功能芯片；有机感光膜盖板位于功能晶圆的正上方，在有机感光膜盖板的四周向下叠放有多层台阶，其中，距离有机感光膜盖板最近的为第一层台阶，第一层台阶为有机感光膜台阶、第二层台阶为焊盘电极，且所述焊盘电极固定在功能晶圆上；在盖板的部分上表面、外表面以及每一层台阶的外表面制备有连续导通的金属种子层；在盖板的部分上表面的金属种子层上还包括外部焊球。本发明通过有机感光膜的方式避免了键合和刻蚀过程造成的裂片，缩短了工艺流程，降低了加工成本。

公开(公告)号：CN110729979B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201910937624.9

申请日：2019-09-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所 ,  电子科技大学

Inventor： 刘娅 ,  马晋毅 ,  孙科 ,  徐阳 ,  余忠 ,  蒋平英 ,  兰中文 ,  田本郎 ,  邬传健 ,  谭发增 ,  蒋晓娜 ,  郭荣迪 ,  杨正兵 ,  唐小龙

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明属于声波滤波器技术领域，涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构；封装方法包括在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片；将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形，针对外部引线制作出相应的导通孔；将芯片和金属图形正对后进行金属键合，并形成键合层金属，从导通孔连接至晶圆；在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层再进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除以外的金属种子层；再制作外电极和外部电路结构，在外电极表面制作外部焊球。本发明通过金属键合，使器件内部与外部形成了隔绝的两个部分，从而保护裸芯片表面不被污染以及密封的效果能满足气密(56)对比文件US 2010301703 A1,2010.12.02P.R. Morrow 等.Three-dimensionalwafer stacking via Cu-Cu bondingintegrated with 65-nm strained-Si/low-kCMOS technology《.IEEE Electron DeviceLetters》.2006,第27卷(第5期),335-337.Steen, S.E.a 等.Overlay as the key todrive wafer scale 3D integration.《Microelectronic Engineering》.2007,第84卷(第5-8期),1412-1415.陈永星 等.X波段铁氧体微带环行器阵列封装设计与仿真《.磁性材料及器件》.2019,第50卷(第3期),25-28+69.王祥邦 等.基于晶圆级封装技术的声表面波滤波器《.电子与封装》.2019,第19卷(第7期),1-3+32.肖立 等.晶圆级封装对声表滤波器性能的影响《.压电与声光》.2016,第38卷(第4期),628-632.

公开(公告)号：CN110649909B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201910937621.5

申请日：2019-09-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所 ,  电子科技大学

Inventor： 刘娅 ,  马晋毅 ,  孙科 ,  杨正兵 ,  兰中文 ,  田本郎 ,  余忠 ,  谭发增 ,  邬传健 ,  徐阳 ,  蒋晓娜 ,  杜雪松 ,  蒋平英 ,  郭荣迪

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/02 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明属于声表面波滤波器晶圆封装技术领域，具体涉及一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构，所述结构包括功能晶圆和有机感光膜盖板，在功能晶圆的中央包括多个工作面朝向相同的功能芯片；有机感光膜盖板位于功能晶圆的正上方，在有机感光膜盖板的四周向下叠放有多层台阶，其中，距离有机感光膜盖板最近的为第一层台阶，第一层台阶为有机感光膜台阶、第二层台阶为焊盘电极，且所述焊盘电极固定在功能晶圆上；在盖板的部分上表面、外表面以及每一层台阶的外表面制备有连续导通的金属种子层；在盖板的部分上表面的金属种子层上还包括外部焊球。本发明通过有机感光膜的方式避免了键合和刻蚀过程造成的裂片，缩短了工艺流程，降低了加工成本。

公开(公告)号：CN119176714A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411368264.2

申请日：2024-09-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邬传健 ,  楚兆龙 ,  孙科 ,  余忠 ,  李启帆 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  H01F1/01

Abstract: 一种C波段超低损耗自偏置六角旋磁铁氧体材料，属于铁氧体材料制备技术领域。所述铁氧体材料包括重量比为0.1～10的BiCaZrVIn‑YIG旋磁铁氧体材料和LaScBiCu‑BaM六角旋磁铁氧体材料；掺杂剂占铁氧体材料的重量百分比，以氧化物计算：0.3～0.7wt％La2O3、0.4～0.8wt％SiO2和0.5～0.9wt％SrTiO3。本发明在低损耗BiCaZrVIn‑YIG旋磁铁氧体颗粒表面生长兼具高Mr/Ms和Hc特性的LaScBiCu‑BaM六角旋磁铁氧体，研制兼具高而可调各向异性场Ha、高矫顽力Hc和剩磁比Mr/Ms、超低铁磁共振线宽△H和介电损耗tanδε特征的六角旋磁铁氧体材料，满足C波段微型集成器件低损耗宽带宽的工程化需求问题。

公开(公告)号：CN115579203B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202211287484.3

申请日：2022-10-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邬传健 ,  王武 ,  余忠 ,  李启帆 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文 ,  李翱

IPC: H01F1/03 ,  H01F1/11 ,  H01F1/34 ,  H01F41/02

Abstract: 一种X波段自偏置器件用双相复合铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。所述双相复合铁氧体材料包括SrM铁氧体、YIG铁氧体和掺杂剂，SrM铁氧体包括SrCO3、CaCO3、La2O3、Co2O3和Fe2O3，YIG铁氧体包括Y2O3、Bi2O3、ZrO2、CaCO3、V2O5和Fe2O3，YIG铁氧体与SrM铁氧体的重量比为1：(0.11～9)；掺杂剂包括SiO2、H3BO3、CaCO3、Bi2O3和BaTiO3。本发明双相复合铁氧体材料兼具适宜的饱和磁化强度、适宜的各向异性场、高的矫顽力、高剩磁比、低的铁磁共振线宽和高的介电常数特性。

公开(公告)号：CN118184330A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410317164.0

申请日：2024-03-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋晓娜 ,  苏千发 ,  余忠 ,  孙科 ,  邬传健 ,  李启帆 ,  兰中文

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01F1/34

Abstract: 一种Ka波段高功率旋磁锂锌铁氧体及其制备方法，属于微波铁氧体材料制备技术领域。包括主料和添加剂，主料为Li0.347+0.5xZn0.3Ni0.006Mn0.056TixFe2.291‑1.5xO4，添加剂为：Bi2O3、Sb2O3和Co2O3。本发明采用的主配方体系有利于获得低矫顽力和剩磁温度系数；通过优化烧结工艺，借助两种添加剂的双重作用，使铁氧体样品显微形貌均匀，晶粒大小均匀适中，有利于提高材料的功率承受能力和烧结体密度，大幅降低材料的气孔率并提升材料自旋波线宽，有助于获得低损耗和低矫顽力的Ka波段高功率铁氧体开关和移相器用锂锌铁氧体材料。

公开(公告)号：CN118184328A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410292926.6

申请日：2024-03-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邓腾彬 ,  付业平 ,  余忠 ,  兰中文 ,  邬传健 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  李启帆 ,  余勇

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H01F1/34

Abstract: 一种低温烧结高频低损耗MnZn功率铁氧体，属于铁氧体制备技术领域。包括主成分与辅助成分，主成分按氧化物摩尔百分数计，包括54.5～56.5mol％Fe2O3和4.5～7.5mol％ZnO，其余为MnO；以主成分预烧后的预烧料为基准，辅助成分包括0.001～0.05wt％Sb2O3、0.01～0.03wt％Nb2O5、0.1～0.4wt％Co2O3、0.02～0.10wt％CaCO3和0.00～0.01wt％SiO2。本发明采用具有高电阻率与低熔点的Sb2O3作为助熔剂，通过Sb2O3取代传统的V2O5，在降低烧结温度的同时改善MnZn铁氧体的高频损耗，对低温烧结MnZn铁氧体具有重要意义。

公开(公告)号：CN118145978A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410235524.2

申请日：2024-03-01

Applicant: 电子科技大学 ,  西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)

Inventor： 孙科 ,  郭志强 ,  廖杨 ,  邬传健 ,  张晓峰 ,  蒋晓娜 ,  李启帆 ,  余忠 ,  兰中文

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01F1/01 ,  H01F41/02

Abstract: 一种高介电常数小线宽钇铁石榴石铁氧体材料制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明通过对石榴石结构中十二面体Y3+、八面体Fe3+的取代，采用二次预烧工艺和先低转速后高转速的三次球磨工艺，仅需三次球磨、一次造粒、一次烧结制得了钇铁石榴石铁氧体材料。本发明采用二次预烧的制备工艺，粉料的活性更好，烧结阶段固相反应完成程度更高，材料性能更优异；三次球磨采用先低转速后高转速的工艺，增强三次球磨粉料的粒度均匀性；制得的铁氧体具有较高的介电常数ε'＞20、较低的铁磁共振线宽ΔH≤25Oe和较低的介电损耗tanδε＜1×10‑4。

公开(公告)号：CN117966135A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410220438.4

申请日：2024-02-28

Applicant: 电子科技大学 ,  江西尚朋电子科技有限公司

Inventor： 余忠 ,  陈婧莎 ,  王宏 ,  李启帆 ,  窦海之 ,  邬传健 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C23C18/12

Abstract: 本发明提供的一种(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法，属于薄膜制备技术领域。本发明基于氧化还原反应原理，利用旋转喷涂设备将氧化液和还原液按一定比例通过超声雾化系统均匀地附着于玻璃衬底上，在完成一系列化学反应后形成连续且致密的铁氧体薄膜，通过改变还原液中氯化亚铁的浓度，控制不同晶面的沉积速率，进而调控NiZn铁氧体薄膜的生长取向。经过以上工艺低温沉积制备出的NiZn铁氧体薄膜能够实现与半导体工艺的兼容，同时取向由NiZn铁氧体的(311)取向逐渐沿(222)择优取向生长，显微结构逐渐形成明显的三角形晶粒，从而使得薄膜生长更加均匀，薄膜质量得到显著提高。