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公开(公告)号：CN104538837B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510013055.0
申请日：2015-01-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种纳米等离子体阵列激光器及其制作方法，属于光学技术领域。本发明利用电泵浦半导体纳米线p‑n结阵列激发的光子和表面金属‑介质膜的相互作用产生表面等离子体激元(SPP)，进而对纳米线谐振腔中产生的光子束进行约束调控。本发明结合半导体纳米结构几何限制和表面等离子体模场对光束限制约束的双重优点，利用半导体纳米线实现工作物质和谐振腔的集成以及表面等离子体实现模场约束，最终形成半导体纳米等离子体激光器。
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公开(公告)号：CN104538837A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510013055.0
申请日：2015-01-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种纳米等离子体阵列激光器及其制作方法，属于光学技术领域。本发明利用电泵浦半导体纳米线p-n结阵列激发的光子和表面金属-介质膜的相互作用产生表面等离子体激元(SPP)，进而对纳米线谐振腔中产生的光子束进行约束调控。本发明结合半导体纳米结构几何限制和表面等离子体模场对光束限制约束的双重优点，利用半导体纳米线实现工作物质和谐振腔的集成以及表面等离子体实现模场约束，最终形成半导体纳米等离子体激光器。
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公开(公告)号：CN102969400A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210501678.9
申请日：2012-11-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 该发明属于微纳光学及太阳能材料领域中的带金属纳米颗粒阵列光能增透片的生产方法。包括：激光束聚集器及纳米颗粒沉积基片的制备，配制纳米级贵金属悬浮液，沉积处理，冲冼及干燥。该发明采用透明光学玻璃作的正四棱锥台作为激光束的聚集器及沉积基片，采用四束完全相同的平行激光束分别垂直于棱锥台的四个侧面射入四棱锥台及基片内，利用激光全反射产生的二维激光消逝波驻波在常温、常压下对该贵金属纳米颗粒悬浮液进行照射处理。因而具有沉积装置的结构及沉积处理工艺简单、可靠，工艺条件要求低，可对不同贵金属进行沉积处理，阵列周期及高度可以方便进行调节，能耗及制作成本低，可在较大面积上进行贵金属纳米级颗粒阵列的沉积等特点。
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公开(公告)号：CN102969400B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210501678.9
申请日：2012-11-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 该发明属于微纳光学及太阳能材料领域中的带金属纳米颗粒阵列光能增透片的生产方法。包括：激光束聚集器及纳米颗粒沉积基片的制备，配制纳米级贵金属悬浮液，沉积处理，冲冼及干燥。该发明采用透明光学玻璃作的正四棱锥台作为激光束的聚集器及沉积基片，采用四束完全相同的平行激光束分别垂直于棱锥台的四个侧面射入四棱锥台及基片内，利用激光全反射产生的二维激光消逝波驻波在常温、常压下对该贵金属纳米颗粒悬浮液进行照射处理。因而具有沉积装置的结构及沉积处理工艺简单、可靠，工艺条件要求低，可对不同贵金属进行沉积处理，阵列周期及高度可以方便进行调节，能耗及制作成本低，可在较大面积上进行贵金属纳米级颗粒阵列的沉积等特点。
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