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公开(公告)号：CN106715004B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201580051561.7
申请日：2015-07-24
Applicant: 电化株式会社
IPC: B22D19/00 , B22D18/02 , B22D19/14 , C04B35/565 , C04B41/88
Abstract: 本发明提供能够抑制复合体中所含的多孔质无机结构体的破损、稳定地制造复合体的复合体的制造方法和采用该制造方法制造的复合体。本发明提供复合体的制造方法和采用该制造方法制造的复合体，该复合体的制造方法是一边将纤维状无机材料邻接配置于平板状的多孔质无机结构体一边浸渍金属的复合体的制造方法，其特征在于，所述复合体是通过使用由多孔质碳化硅陶瓷烧结体构成的多孔质无机结构体和纤维状无机材料，从而具有多孔质碳化硅陶瓷烧结体浸渍有金属的第1相和纤维状无机材料浸渍有金属的第2相相互邻接的结构的复合体，多孔质碳化硅陶瓷烧结体在第1相中所占的比例为50～80体积％，纤维状无机材料在第2相中所占的比例为3～20体积％。
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公开(公告)号：CN107848902A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201580082081.7
申请日：2015-07-31
Applicant: 电化株式会社
CPC classification number: C04B35/565 , B22D19/00 , B22D19/02 , B22D19/14 , C04B35/573 , C04B38/00 , C04B38/0032 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B41/88 , C04B2111/00844 , C04B2235/3418 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/428 , C04B2235/602 , C04B2235/616 , C04B2235/786 , C04B2235/9607 , C22C1/10 , C22C1/1068 , C22C32/00 , H01L23/36 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B41/5096 , C04B41/515
Abstract: 本发明提供高导热、低热膨胀以及低比重的铝-碳化硅质复合体及其制造方法。本发明提供铝-碳化硅质复合体，其特征在于：所述铝-碳化硅质复合体是将铝合金浸渍于多孔质碳化硅成型体而成的，该复合体中的碳化硅的比例为60体积％以上，含有60质量％以上且75质量％以下的粒径为80μm以上且800μm以下的碳化硅，含有20质量％以上且30质量％以下的粒径为8μm以上且小于80μm的碳化硅，含有5质量％以上且10质量％以下的粒径小于8μm的碳化硅。
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公开(公告)号：CN106537580A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580039392.5
申请日：2015-07-29
Applicant: 电化株式会社
CPC classification number: H05K1/0271 , B23K1/0016 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , C04B37/02 , C04B37/026 , C04B2237/125 , C04B2237/366 , C04B2237/407 , C04B2237/74 , C09K5/14 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H05K1/0204 , H05K1/0306 , H05K1/053 , H05K3/022 , H05K3/061 , H05K3/067 , H05K3/4611 , H05K2201/068 , H05K2203/0285 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于获得对超声波接合具有优异的耐裂纹性的陶瓷电路基板。本发明通过下述陶瓷电路基板解决上述课题，所述陶瓷电路基板的特征在于，在陶瓷基板的一面接合有金属电路板、在另一面接合有金属散热板，金属电路板的结晶粒径为20μm以上且70μm以下。该陶瓷电路基板可以如下制造：分别在陶瓷基板的一面配置金属电路板、在另一面配置金属散热板，以真空度为1×10-3Pa以下、接合温度为780℃以上且850℃以下、保持时间为10分钟以上且60分钟以下进行接合，从而制造。
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公开(公告)号：CN106537580B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201580039392.5
申请日：2015-07-29
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明的课题在于获得对超声波接合具有优异的耐裂纹性的陶瓷电路基板。本发明通过下述陶瓷电路基板解决上述课题，所述陶瓷电路基板的特征在于，在陶瓷基板的一面接合有金属电路板、在另一面接合有金属散热板，金属电路板的结晶粒径为20μm以上且70μm以下。该陶瓷电路基板可以如下制造：分别在陶瓷基板的一面配置金属电路板、在另一面配置金属散热板，以真空度为1×10‑3Pa以下、接合温度为780℃以上且850℃以下、保持时间为10分钟以上且60分钟以下进行接合，从而制造。
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公开(公告)号：CN106796925A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580053294.7
申请日：2015-07-29
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明提供与其他散热部件的密合性高的铝‑碳化硅质复合体及其制造方法。本发明提供铝‑碳化硅质复合体及其制造方法，该铝‑碳化硅质复合体具有包含碳化硅和铝合金的平板状的复合化部，和在复合化部的两板面设置的包含铝合金的铝层，在一个板面安装电路基板，另一板面用作散热面，其特征在于，散热面侧的复合化部的板面为凸型的翘曲的形状，散热面侧的铝层为凸型的翘曲的形状，相对的外周面的短边中央的厚度的平均(Ax)与板面的中心部的厚度(B)之比(Ax/B)为0.91≤Ax/B≤1.00，相对的外周面的长边中央的厚度的平均(Ay)与板面的中心部的厚度(B)之比(Ay/B)为0.94≤Ay/B≤1.00。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106061923A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580009679.3
申请日：2015-02-20
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明可得到具有高接合强度和优异的耐热循环性、在使作为电子机器的工作可靠性提高的同时放热性优异的陶瓷线路基板。本发明的陶瓷线路基板是介由银‑铜系焊料层对陶瓷基板的两个主表面和金属板进行接合而成的陶瓷线路基板，其特征在于，相对于75～98质量份的银粉末和2～25质量份的铜粉末的合计100质量份，银‑铜系焊料层由含有0.3～7.5质量份的碳纤维(carbon fiber)和1.0～9.0质量份的选自钛、锆、铪、铌、钽、钒和锡的至少一种活性金属的银‑铜系焊料构成，所述碳纤维的平均长度为15～400μm、平均直径为5～25μm、平均长径比为3～28。
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公开(公告)号：CN106796925B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201580053294.7
申请日：2015-07-29
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明提供与其他散热部件的密合性高的铝‑碳化硅质复合体及其制造方法。本发明提供铝‑碳化硅质复合体及其制造方法，该铝‑碳化硅质复合体具有包含碳化硅和铝合金的平板状的复合化部，和在复合化部的两板面设置的包含铝合金的铝层，在一个板面安装电路基板，另一板面用作散热面，其特征在于，散热面侧的复合化部的板面为凸型的翘曲的形状，散热面侧的铝层为凸型的翘曲的形状，相对的外周面的短边中央的厚度的平均(Ax)与板面的中心部的厚度(B)之比(Ax/B)为0.91≤Ax/B≤1.00，相对的外周面的长边中央的厚度的平均(Ay)与板面的中心部的厚度(B)之比(Ay/B)为0.94≤Ay/B≤1.00。
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公开(公告)号：CN106061923B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201580009679.3
申请日：2015-02-20
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明可得到具有高接合强度和优异的耐热循环性、在使作为电子机器的工作可靠性提高的同时放热性优异的陶瓷线路基板。本发明的陶瓷线路基板是介由银‑铜系焊料层对陶瓷基板的两个主表面和金属板进行接合而成的陶瓷线路基板，其特征在于，相对于75～98质量份的银粉末和2～25质量份的铜粉末的合计100质量份，银‑铜系焊料层由含有0.3～7.5质量份的碳纤维(carbon fiber)和1.0～9.0质量份的选自钛、锆、铪、铌、钽、钒和锡的至少一种活性金属的银‑铜系焊料构成，所述碳纤维的平均长度为15～400μm、平均直径为5～25μm、平均长径比为3～28。
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公开(公告)号：CN106232845B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201580022037.7
申请日：2015-04-23
Applicant: 电化株式会社
IPC: C22C26/00 , C22C1/05 , C22C1/10 , H01L23/373
Abstract: 本发明的目的在于提供一种铝‑金刚石系复合体，该铝‑金刚石系复合体兼具高热传导率和与半导体元件接近的热膨胀率，即使在于高负荷下的实际使用中也能够抑制表面金属层部分的膨胀等的产生。本发明提供铝‑金刚石系复合体，其特征在于，粒径的体积分布的第一峰位于5～25μm，第二峰位于55～195μm，粒径为1～35μm的体积分布的面积与粒径为45～205μm的体积分布的面积的比率为1比9至4比6，该铝‑金刚石系复合体含有65体积％～80体积％的圆形度为0.94以上的金刚石粉末，剩余部分由含有铝的金属构成。
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公开(公告)号：CN106415822B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201580027795.8
申请日：2015-05-26
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明提供低廉且散热性优异的半导体封装体。根据本发明，提供一种半导体封装体，其为依次层叠有散热构件、接合层、绝缘构件的半导体封装体，其特征为所述散热构件包括含有金刚石粒子与含铝金属的铝‑金刚石系复合体，将所述散热构件和所述绝缘构件接合的所述接合层使用包含平均粒径为1nm以上并且100μm以下的氧化银微粒或者有机覆膜银微粒的复合材料而形成。
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