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公开(公告)号：CN119566984A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411488050.9
申请日：2024-10-23
Applicant: 甬江实验室
Abstract: 本申请公开了一种铌酸锂/钽酸锂晶圆的减薄方法，属于半导体加工制造技术领域。该减薄方法包括如下步骤：提供初始晶圆，所述初始晶圆的材料选自铌酸锂或钽酸锂单晶材料；在初始晶圆的相对两面上键合支撑衬底层，得到双面键合支撑衬底的初始晶圆；沿平行于初始晶圆表面的方向将初始晶圆水平切割，得到两片单面键合支撑衬底层的晶圆；分别对两片单面键合支撑衬底层的晶圆进行减薄。该减薄方法利用线切割将晶圆分离为至少2片，再对晶圆进行减薄处理，上述“双面键合‑晶圆切割‑减薄”方法，通过技术手段的优化，显著提升了铌酸锂/钽酸锂晶圆的减薄效果，可以有效减少晶圆减薄过程中的浪费，并有效提高晶圆的制备效率，降低制备成本。
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公开(公告)号：CN118992968A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411099044.4
申请日：2024-08-12
Applicant: 甬江实验室
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供用于集成光子/电子器件的衬底表面刻蚀方法与刻蚀设备。首先在衬底表面形成图案化的阻挡层，所述衬底表面存在未被阻挡层覆盖而裸露的区域，然后将所述衬底置于包含微纳米颗粒的混合液中，将声波传递至所述混合液，在声波作用下所述微纳米颗粒撞击所述裸露区域而实现该区域的刻蚀。该方法操作简单方便、无污染、成本低、可控性强，适合衬底刻蚀的大规模生产和商业化，刻蚀后的混合液可重复利用，节能环保。
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公开(公告)号：CN119913618A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411977356.0
申请日：2024-12-30
Applicant: 甬江实验室
Abstract: 本申请公开了一种钽酸锂单晶薄膜制备方法及其应用，属于半导体技术领域。该制备方法包括如下步骤：提供载片、铌酸锂单晶衬底；在所述铌酸锂单晶衬底上外延生长钽酸锂单晶层；将所述铌酸锂单晶衬底的所述钽酸锂单晶层一面与所述载片通过固化胶进行键合，得到键合片；对所述键合片中的铌酸锂单晶衬底进行减薄，形成铌酸锂单晶薄膜；对所述铌酸锂单晶薄膜进行化学腐蚀至暴露出所述钽酸锂单晶层，得到键合于所述载片上的所述钽酸锂单晶薄膜。本申请可实现厚度可控的大尺寸(4‑12英寸)、高质量钽酸锂单晶薄膜的高质量批量制备，极大降低了工艺成本，提高了钽酸锂单晶薄膜的良品率，打通钽酸锂单晶薄膜的应用壁垒。
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公开(公告)号：CN119838647A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411773770.X
申请日：2024-12-04
Applicant: 甬江实验室
IPC: B01L3/00
Abstract: 本申请公开了一种原位驱动的压电微流控器件及其制备方法，属于微流控芯片的驱动以及集成制备技术领域。该压电微流控器件包括微流道、微流控器件基底、压电薄膜、金属叉指电极；所述微流控器件基底朝向压电薄膜一侧的表面上设置有凹槽通道；所述微流道为由压电薄膜和所述凹槽通道围成的空腔；所述金属叉指电极设置在微流道相对正上方的压电薄膜背离微流道的一侧表面上。本申请原位驱动的压电微流控器件的结构设计采用将微流道结构置于基底内，并在基底微流道结构上方制备压电薄膜和金属叉指电极，更好地操控液体的同时，还能兼顾器件的微型化集成化和降低对驱动信号源的性能需求。
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公开(公告)号：CN119603993A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411509555.9
申请日：2024-10-25
Applicant: 甬江实验室
Abstract: 本申请公开了一种以铌酸锂或钽酸锂单晶为栅介质的神经形态晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。神经形态晶体管包括自上而下设置的衬底层、底栅电极层、栅介质层和图案化的电极组件；所述衬底层的材料包括单晶LiNbO3(0001)或单晶LiTaO3(0001)；所述底栅电极层包括单晶ZnSnO3薄膜；所述栅介质层包括单晶LiNbO3或单晶LiTaO3薄膜。在所述单晶LiNbO3(0001)或单晶LiTaO3(0001)衬底上外延生长单晶ZnSnO3薄膜后可以直接沉积栅介质层，有效避免了晶格失配的情况发生，同时也减少了缓冲层的引入，器件结构中的薄膜生长方法均为物理气相沉积法，安全性更高，工艺成本更低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119575706A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411768256.7
申请日：2024-12-03
Applicant: 甬江实验室
Abstract: 本申请公开了电光调制器及其制备方法，所述电光调制器包括：衬底层；树脂层，所述树脂层设置在所述衬底层的一侧；薄膜铌酸锂层，所述薄膜铌酸锂层设置在所述树脂层的远离所述衬底层的一侧，所述薄膜铌酸锂层靠近所述树脂层的部分表面设置有脊波导；金属电极层，所述金属电极层设置在所述薄膜铌酸锂层远离所述树脂层的部分表面。本申请采用金属电极层与脊波导异面的薄膜铌酸锂电光调制器，可以实现低半波电压和低光吸收损耗，同时实现微波和光波的速度及阻抗匹配，从而降低微波损耗。
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公开(公告)号：CN119156112A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411099031.7
申请日：2024-08-09
Applicant: 甬江实验室
IPC: H10N30/082 , G02F1/035 , H10N30/853
Abstract: 本申请公开了图形化的半导体基底及其制备方法和微纳光电/光子器件，所述半导体基底包括铌酸锂基底和钽酸锂基底中的至少一种，所述方法包括以下步骤：在所述半导体基底表面形成图形化的掩膜层；对表面设有所述掩膜层的所述半导体基底进行离子注入处理，以在所述半导体基底未被所述掩膜层覆盖的区域形成损伤层；去除所述掩膜层，并对所述损伤层进行湿法刻蚀处理，以得到图形化的半导体基底。由此，前述制备方法可以损伤铌酸锂基底或钽酸锂基底，然后通过湿法刻蚀选择性去除损伤层，该种制备方法有助于消除传统湿法刻蚀过程中易出现的各向同性刻蚀问题。
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公开(公告)号：CN119923184A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411845281.0
申请日：2024-12-13
Applicant: 甬江实验室
Abstract: 本发明公开了一种热释电红外探测器和热释电红外探测器的制造方法，所述热释电红外探测器包括：衬底；底电极层，所述底电极层设在所述衬底的上方且与所述衬底通过键和层相连，所述底电极层具有向上凸起的电极部；热释电功能层，所述热释电功能层设在所述底电极层的上方，所述热释电功能层上设有电极槽，所述电极部通过所述电极槽从所述热释电功能层的上表面露出；顶电极层，所述顶电极层设在所述热释电功能层的上表面且与所述电极部在水平方向上间隔开，并在顶部电极上制备红外吸收层。根据本发明实施例的热释电红外探测器具有工艺难度低、成本低、集成度高、可靠性强等优点。
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公开(公告)号：CN119694980A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411795691.9
申请日：2024-12-06
Applicant: 甬江实验室
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本申请公开了一种硅通孔互连结构的制备方法，属于微电子封装技术领域。所述方法包括：对图形化的硅晶圆进行刻蚀形成硅通孔；利用湿氧氧化工艺在所述硅晶圆的上表面以及所述硅通孔的孔壁和孔底上形成第一绝缘层；利用原子层沉积工艺在所述第一绝缘层上沉积第二绝缘层；利用原子层沉积工艺在所述第二绝缘层上沉积扩散阻挡层。本申请的技术方案能够制备出高质量的绝缘层以及高稳定性和高可靠性的硅通孔。
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公开(公告)号：CN119156113A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411084692.2
申请日：2024-08-07
Applicant: 甬江实验室
IPC: H10N30/20 , H10N30/853 , H10N30/00 , H10N30/082 , H10N30/04 , B81B7/02
Abstract: 本申请公开了一种含压电单晶薄膜的悬臂梁结构及其激光改性辅助制备方法、MEMS器件，属于MEMS技术领域。将激光改性与湿法刻蚀工艺结合精准快速刻蚀单晶铌酸锂或钽酸锂基体片，获得含压电单晶薄膜的悬臂梁结构，基体片内部区域中设置有空腔，相对靠近空腔的基体片一面表层上遮盖空腔的部分为压电单晶薄膜，压电单晶薄膜的边缘上相对空腔边缘的位置设置有至少一个微孔，空腔通过微孔与基体片外部联通。本申请实现了同时制备单晶铌酸锂或钽酸锂的薄膜和悬臂梁结构，用于MEMS器件中，空腔层和压电单晶薄膜层的同种材料结构设计能有效解决两者应力匹配和补偿问题，以及传统压电单晶薄膜沉积方法引起内部晶格失配而导致的器件性能降低问题。
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