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公开(公告)号：CN104159855A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201280071159.1
申请日：2012-12-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·L·凯乐门 , 孙大为 , 布莱恩·H·梅克英特许
CPC classification number: C30B15/14 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B29/06
Abstract: 一种自熔体上水平带材生长的方法，包括在熔体的表面上利用辐射冷却形成带材的前侧边缘；沿着熔体的表面在第一方向上拉起带材；以及在邻近带材的前侧边缘的区域中以热移离速率来移除自熔体辐射的热，所述热大于流经熔体至带材内的热。
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公开(公告)号：CN104159855B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280071159.1
申请日：2012-12-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·L·凯乐门 , 孙大为 , 布莱恩·H·梅克英特许
CPC classification number: C30B15/14 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B29/06
Abstract: 一种自熔体上水平带材生长的方法，包括在熔体的表面上利用辐射冷却形成带材的前侧边缘；沿着熔体的表面在第一方向上拉起带材；以及在邻近带材的前侧边缘的区域中以热移离速率来移除自熔体辐射的热，所述热大于流经熔体至带材内的热。
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公开(公告)号：CN104246021B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201280072386.6
申请日：2012-12-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 布莱恩·H·梅克英特许 , 彼得·L·凯乐门 , 孙大为
CPC classification number: C30B15/14 , C30B15/06 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068
Abstract: 一种用于自熔体成长晶体薄板的装置，其包括冷块组成。冷块组成可包括冷块以及围绕冷块的遮蔽，所述遮蔽具有比所述冷块的温度更高的温度，其中所述遮蔽定义出开口，所述开口沿着靠近熔体表面的所述冷块的表面配置，并且定义出包括沿着所述冷块的第一方向的宽度的冷却区域，所述冷却区域可操作以对靠近所述冷块的所述熔体表面的第一区域进行局部冷却。所述装置可还包括晶拉器，当配置冷块组成在熔体表面附近时，所述晶拉器以垂直于第一方向的方向拉动晶种。
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公开(公告)号：CN104246021A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201280072386.6
申请日：2012-12-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 布莱恩·H·梅克英特许 , 彼得·L·凯乐门 , 孙大为
CPC classification number: C30B15/14 , C30B15/06 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068
Abstract: 一种用于自熔体成长晶体薄板的装置，其包括冷块组成。冷块组成可包括冷块以及围绕冷块的遮蔽，所述遮蔽具有比所述冷块的温度更高的温度，其中所述遮蔽定义出开口，所述开口沿着靠近熔体表面的所述冷块的表面配置，并且定义出包括沿着所述冷块的第一方向的宽度的冷却区域，所述冷却区域可操作以对靠近所述冷块的所述熔体表面的第一区域进行局部冷却。所述装置可还包括晶拉器，当配置冷块组成在熔体表面附近时，所述晶拉器以垂直于第一方向的方向拉动晶种。
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