公开(公告)号：CN104425497B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201410429530.8

申请日：2014-08-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 筱原博文 ,  尾田秀一 ,  岩松俊明

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/36 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高半导体装置的性能。在半导体基板上经由绝缘层而形成了半导体层的SOI基板中，在nMIS形成区域的半导体层和pMIS形成区域的半导体层上分别形成MISFET，在供电区域中，除去半导体层和绝缘层。在半导体基板内，以在俯视时包括nMIS形成区域和供电区域的方式形成p型半导体区域，以在俯视时包括pMIS形成区域和供电区域的方式形成n型半导体区域(NR2)。在半导体基板内，相比p型半导体区域为低杂质浓度的p型阱(PW)形成为内包p型半导体区域，相比n型半导体区域为低杂质浓度的n型阱(NW)形成为内包n型半导体区域。p型半导体区域和n型半导体区域比元件分离区域(ST)深。

公开(公告)号：CN104425497A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410429530.8

申请日：2014-08-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 筱原博文 ,  尾田秀一 ,  岩松俊明

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/36 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高半导体装置的性能。在半导体基板上经由绝缘层而形成了半导体层的SOI基板中，在nMIS形成区域的半导体层和pMIS形成区域的半导体层上分别形成MISFET，在供电区域中，除去半导体层和绝缘层。在半导体基板内，以在俯视时包括nMIS形成区域和供电区域的方式形成p型半导体区域，以在俯视时包括pMIS形成区域和供电区域的方式形成n型半导体区域(NR2)。在半导体基板内，相比p型半导体区域为低杂质浓度的p型阱(PW)形成为内包p型半导体区域，相比n型半导体区域为低杂质浓度的n型阱(NW)形成为内包n型半导体区域。p型半导体区域和n型半导体区域比元件分离区域(ST)深。

公开(公告)号：CN104659032A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410429736.0

申请日：2014-08-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 筱原博文 ,  尾田秀一 ,  岩松俊明

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/84 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1203

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，抑制半导体器件的性能降低。形成场效应晶体管(Q1)的活性区域(ACT1)的宽度小于形成场效应晶体管(Q2)的活性区域(ACT2)的宽度时，场效应晶体管(Q1)的提升源极层(EP(S1))的表面的高度高于场效应晶体管(Q2)的提升源极层(EP(S2))的表面的高度。而且场效应晶体管(Q1)的提升漏极层(EP(D1))的表面的高度高于场效应晶体管(Q2)的提升漏极层(EP(D2)的表面的高度。