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公开(公告)号：CN109148423A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810662239.3
申请日：2018-06-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03K3/011 , H01L23/5226 , H01L23/5228 , H01L23/53266 , H01L23/53271 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H03K3/356113 , H01L27/0207
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。多晶硅电阻的模塑封装工艺结束后的电阻变动率大。为了能够实现高精度的修调，期望实现一种几乎不受到由于模塑封装工艺而在基板产生的应力的影响的电阻。电阻元件形成于多个布线层，具有第1导电层(51)、第2导电层(52)以及层间导电层(53)的重复图案，所述第1导电层(51)形成于第1布线层，所述第2导电层(52)形成于第2布线层，所述层间导电层(53)将第1导电层(51)与第2导电层(52)连接。
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公开(公告)号：CN104113329A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410155972.8
申请日：2014-04-17
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03L7/0991 , H03L1/022 , H03L7/00 , H03L7/02 , H03L7/06 , H03L7/099 , H03L7/16 , H03L7/22 , H03L2207/06 , H03L2207/50
Abstract: 一种锁频环电路包括：生成时钟的数字控制振荡器；以及生成频率控制代码以控制时钟的振荡频率的FLL控制器。FLL控制器包括：将数字控制振荡器所生成的时钟频率与倍乘后参考时钟频率进行比较的频率比较单元；以及基于频率比较单元的比较结果生成频率控制代码以使得数字控制振荡器生成的时钟频率与倍乘后参考时钟频率匹配的延迟代码控制单元。频率比较单元通过使用第一和第二阈值确定时钟频率。延迟代码控制单元根据频率比较单元的确定生成频率控制代码并且将频率控制代码输出至数字控制振荡器。
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公开(公告)号：CN108988826B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN201810538141.7
申请日：2018-05-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K3/0231
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公开(公告)号：CN110875276A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910654902.X
申请日：2019-07-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H03K3/011
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件。在模塑封装过程结束后，多晶硅电阻具有大电阻变化率。为了实现高精度微调，期望实现几乎不受通过模塑封装过程在衬底中生成的应力和温度波动影响的电阻。电阻元件形成在多个布线层中，并且具有形成在第一布线层中的第一导电层、形成在第二布线层中的第二导电层、以及连接第一导电层和第二导电层的层间导电层的重复图案，并且层间导电层由多种材料形成。
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公开(公告)号：CN104113329B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201410155972.8
申请日：2014-04-17
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03L7/0991 , H03L1/022 , H03L7/00 , H03L7/02 , H03L7/06 , H03L7/099 , H03L7/16 , H03L7/22 , H03L2207/06 , H03L2207/50
Abstract: 一种锁频环电路包括：生成时钟的数字控制振荡器；以及生成频率控制代码以控制时钟的振荡频率的FLL控制器。FLL控制器包括：将数字控制振荡器所生成的时钟频率与倍乘后参考时钟频率进行比较的频率比较单元；以及基于频率比较单元的比较结果生成频率控制代码以使得数字控制振荡器生成的时钟频率与倍乘后参考时钟频率匹配的延迟代码控制单元。频率比较单元通过使用第一和第二阈值确定时钟频率。延迟代码控制单元根据频率比较单元的确定生成频率控制代码并且将频率控制代码输出至数字控制振荡器。
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公开(公告)号：CN118672334A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410183854.1
申请日：2024-02-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/56
Abstract: 本公开的各实施例涉及调节器电路。提供可以实现低功耗同时接受宽输入电压范围的无电容调节器电路。根据本公开的调节器电路包括功率晶体管，该功率晶体管控制到外部输出端子的电流的供应，该外部输出端子被连接到负载；监测晶体管，该监测晶体管被设置在外部输出端子与参考电压端子之间，参考电压被供应给参考电压端子，并且第一电流对应于外部输出端子的电压流过监测晶体管；第一恒定电流源，该第一恒定电流源与监测晶体管串联设置并且根据第一电流和第一恒定电流之间的差来生成第一电压；以及共源共栅电路，该共源共栅电路通过放大第一电压来生成第二电压并且将第二电压供应给功率晶体管的栅极。
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公开(公告)号：CN102763335B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201080064103.4
申请日：2010-02-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 频率电压变换电路（13）由利用开关（SW1、SW2）构成的开关部、静电电容元件（C、C10～C13）以及开关（CSW0～CSW3）构成。静电电容元件（C10～C13）由电容的绝对值不同的电容元件构成，设计为覆盖设计者所希望的频率范围。静电电容值例如设为2的加权的静电电容元件（C11～C13）例如根据4比特的频率调整控制信号（SELC0～SELC3）来选择开关（CSW0～CSW3），进行频率的切换。
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公开(公告)号：CN102763335A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201080064103.4
申请日：2010-02-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 频率电压变换电路（13）由利用开关（SW1、SW2）构成的开关部、静电电容元件（C、C10～C13）以及开关（CSW0～CSW3）构成。静电电容元件（C10～C13）由电容的绝对值不同的电容元件构成，设计为覆盖设计者所希望的频率范围。静电电容值例如设为2的加权的静电电容元件（C11～C13）例如根据4比特的频率调整控制信号（SELC0～SELC3）来选择开关（CSW0～CSW3），进行频率的切换。
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