公开(公告)号：CN108988826B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201810538141.7

申请日：2018-05-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 张国强 ,  矢山浩辅

IPC: H03K3/0231

公开(公告)号：CN108988826A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810538141.7

申请日：2018-05-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 张国强 ,  矢山浩辅

IPC: H03K3/0231

Abstract: 本申请涉及半导体器件和半导体器件的控制方法。根据一个实施例，半导体器件1包括：参考电压生成电路11，被配置为生成能够调节一阶温度特性的参考电压Va和Vb；以及振荡电路12，被配置为使用参考电压Va和Vb输出振荡信号CLK，其中振荡电路12包括由参考电压Va驱动并根据反馈信号fCLK的频率fo输出电流Ie的频率/电流转换电路121；控制电压生成电路122，被配置为根据基于电流Ie的电压Ve和参考电压Vb之间的电势差生成控制电压Vctrl；电压控制振荡电路123，被配置成输出具有根据控制电压Vctrl的频率的振荡信号CLK；以及分频电路124，被配置为对振荡信号CLK的频率进行分频并输出所得到的信号作为反馈信号fCLK。