公开(公告)号：CN105355540B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201510673393.7

申请日：2010-05-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 泽田真人 ,  金冈龙范 ,  堀田胜之

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括阻止对半导体元件的电特性造成不良影响的元件隔离构造。残留在宽度相对较窄的浅槽隔离结构中的氧化硅膜9的膜厚比残留在宽度相对较宽的浅槽隔离结构中的氧化硅膜9的膜厚薄。氧化硅膜9变薄的量，为利用HDP‑CVD法形成的压缩应力较高的氧化硅膜10(上层)在下层的氧化硅膜9上的叠层厚度。最终使形成在宽度相对较窄的浅槽隔离结构中的元件隔离氧化膜的压缩应力得以进一步提高。

公开(公告)号：CN101882619B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010174770.X

申请日：2010-05-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 泽田真人 ,  金冈龙范 ,  堀田胜之

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括阻止对半导体元件的电特性造成不良影响的元件隔离构造。残留在宽度相对较窄的浅槽隔离结构中的氧化硅膜9的膜厚比残留在宽度相对较宽的浅槽隔离结构中的氧化硅膜9的膜厚薄。氧化硅膜9变薄的量，为利用HDP-CVD法形成的压缩应力较高的氧化硅膜10(上层)在下层的氧化硅膜9上的叠层厚度。最终使形成在宽度相对较窄的浅槽隔离结构中的元件隔离氧化膜的压缩应力得以进一步提高。

公开(公告)号：CN105355540A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510673393.7

申请日：2010-05-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 泽田真人 ,  金冈龙范 ,  堀田胜之

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括阻止对半导体元件的电特性造成不良影响的元件隔离构造。残留在宽度相对较窄的浅槽隔离结构中的氧化硅膜9的膜厚比残留在宽度相对较宽的浅槽隔离结构中的氧化硅膜9的膜厚薄。氧化硅膜9变薄的量，为利用HDP-CVD法形成的压缩应力较高的氧化硅膜10(上层)在下层的氧化硅膜9上的叠层厚度。最终使形成在宽度相对较窄的浅槽隔离结构中的元件隔离氧化膜的压缩应力得以进一步提高。

公开(公告)号：CN101882619A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010174770.X

申请日：2010-05-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 泽田真人 ,  金冈龙范 ,  堀田胜之

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括阻止对半导体元件的电特性造成不良影响的元件隔离构造。残留在宽度相对较窄的浅槽隔离结构中的氧化硅膜9的膜厚比残留在宽度相对较宽的浅槽隔离结构中的氧化硅膜9的膜厚薄。氧化硅膜9变薄的量，为利用HDP-CVD法形成的压缩应力较高的氧化硅膜10(上层)在下层的氧化硅膜9上的叠层厚度。最终使形成在宽度相对较窄的浅槽隔离结构中的元件隔离氧化膜的压缩应力得以进一步提高。