公开(公告)号：CN101523593B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200780036364.3

申请日：2007-09-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中川隆史 ,  辰巳徹 ,  间部谦三 ,  高桥健介 ,  忍田真希子

IPC: H01L21/8238 ,  C23C14/06 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

Abstract: 设置第二掩模以覆盖第二栅极图案，并把第一栅极图案加热至含第一金属的原料气体热分解的温度。在第一金属层不淀积的条件下，使构成所述第一栅极图案的多晶硅与用于形成硅化物的所述第一金属反应，并且允许所述第一栅极图案为由所述第一金属的硅化物构成的第一栅极。在除去所述第二掩模之后，设置第一掩模以覆盖所述第一栅极，并把所述第二栅极图案加热至所述原料气体热分解的温度。在所述第一金属层不淀积的条件下，使构成所述第二栅极图案的多晶硅与用于形成硅化物的第一金属反应，并且允许所述第二栅极图案为由所述第一金属的硅化物构成的第二栅极。然后，除去所述第一掩模。在所述制造方法中，形成硅化物层而不用添加退火步骤。