公开(公告)号：CN101582437B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200910147550.5

申请日：2005-10-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 奥村喜纪 ,  上野修一 ,  古田阳雄

IPC: H01L27/22 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明提供一种磁存储装置，通过使存储单元结构最优化来共同确保两条写入布线的可靠性。设位线(10)的布线宽度和厚度分别是W1和T1，数字线(5)的厚度为T2，从数字线(5)的厚度方向中心到MTJ元件(8)的自由层厚度方向中心的距离为L1，设数字线(5)的布线宽度为W2，从位线(10)的厚度方向中心到MTJ元件(8)的自由层厚度方向中心距离为L2，则以在L1/L2≥1的情况下，满足(1/3)·(L1/L2)≤S2/S1≤1的方式，在L1/L2≤1的情况下，满足1≤S2/S1≤3(L1/L2)的方式来设定距离L1、L2、布线截面积S1和S2。