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公开(公告)号：CN105512059A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510857505.4
申请日：2011-06-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G06F13/16 , G11C7/10 , G11C11/406
CPC classification number: G11C7/1072 , G06F13/1636 , G06F13/1689 , G06F13/4234 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C11/406 , G11C11/40603 , G11C11/40611 , G11C11/40615 , G11C2211/4061
Abstract: 本发明提供使刷新命令的发出和校准命令的发出不连续的存储器控制技术。存储器控制电路(30)发出用于以设定的刷新周期为基准而请求刷新工作的刷新命令和用于以设定的校准周期为基准而请求校准工作的校准命令，存储器控制电路(30)抑制在刷新命令发出后规定时间内发出校准命令，抑制在校准命令发出后规定时间内发出刷新命令。
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公开(公告)号：CN103038754B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201180037119.0
申请日：2011-06-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G06F12/00 , G11C11/401 , G11C11/407
CPC classification number: G11C7/1072 , G06F13/1636 , G06F13/1689 , G06F13/4234 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C11/406 , G11C11/40603 , G11C11/40611 , G11C11/40615 , G11C2211/4061
Abstract: 本发明提供使刷新命令的发出和校准命令的发出不连续的存储器控制技术。存储器控制电路(30)发出用于以设定的刷新周期为基准而请求刷新工作的刷新命令和用于以设定的校准周期为基准而请求校准工作的校准命令，存储器控制电路(30)抑制在刷新命令发出后规定时间内发出校准命令，抑制在校准命令发出后规定时间内发出刷新命令。
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公开(公告)号：CN103038754A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180037119.0
申请日：2011-06-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G06F12/00 , G11C11/401 , G11C11/407
CPC classification number: G11C7/1072 , G06F13/1636 , G06F13/1689 , G06F13/4234 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C11/406 , G11C11/40603 , G11C11/40611 , G11C11/40615 , G11C2211/4061
Abstract: 本发明提供使刷新命令的发出和校准命令的发出不连续的存储器控制技术。存储器控制电路(30)发出用于以设定的刷新周期为基准而请求刷新工作的刷新命令和用于以设定的校准周期为基准而请求校准工作的校准命令，存储器控制电路(30)抑制在刷新命令发出后规定时间内发出校准命令，抑制在校准命令发出后规定时间内发出刷新命令。
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公开(公告)号：CN105512059B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510857505.4
申请日：2011-06-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G06F13/16 , G11C7/10 , G11C11/406
CPC classification number: G11C7/1072 , G06F13/1636 , G06F13/1689 , G06F13/4234 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C11/406 , G11C11/40603 , G11C11/40611 , G11C11/40615 , G11C2211/4061
Abstract: 本发明提供使刷新命令的发出和校准命令的发出不连续的存储器控制技术。存储器控制电路(30)发出用于以设定的刷新周期为基准而请求刷新工作的刷新命令和用于以设定的校准周期为基准而请求校准工作的校准命令,存储器控制电路(30)抑制在刷新命令发出后规定时间内发出校准命令,抑制在校准命令发出后规定时间内发出刷新命令。
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