半导体器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109584933B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN201811237850.8

    申请日:2012-08-29

    Abstract: 在半导体器件所具备的非易失性存储器装置(4)中,在基于带间隧穿方式进行的数据擦除时,当满足电荷泵电路(52)的输出电压(VUCP)恢复至规定的基准电压这一条件,以及从开始对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压(VUCP)起经过了规定的基准时间这一条件时,结束对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压。

    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115410623A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210561588.2

    申请日:2022-05-23

    Abstract: 半导体装置包括逻辑电路、存储器和存储装置。该存储装置具有:第一特定信息存储区域,特定信息在焊料回流过程之前被写入到该第一特定信息存储区域中;第二特定信息存储区域,用于更新的特定信息在焊料回流过程之后将写入到该第二特定信息存储区域中;以及数据存储区域。第一特定信息存储区域由具有高回流抗性的存储器单元构成,并且数据即使在焊料回流过程之后也被保留在该存储器单元中。第二特定信息存储区域和数据存储区域由具有低回流抗性的存储器单元构成,并且数据在焊料回流过程期间可以不被保留在该存储器单元中。

    半导体器件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109584933A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201811237850.8

    申请日:2012-08-29

    Abstract: 在半导体器件所具备的非易失性存储器装置(4)中,在基于带间隧穿方式进行的数据擦除时,当满足电荷泵电路(52)的输出电压(VUCP)恢复至规定的基准电压这一条件,以及从开始对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压(VUCP)起经过了规定的基准时间这一条件时,结束对擦除对象的存储器单元(MC)供给升压电压。

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