公开(公告)号：CN103443927B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201280013855.7

申请日：2012-02-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久保俊次

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 从半导体基板（SUB）的主表面到预定的深度形成N型阱（NW），在该N型阱（NW）中形成P型阱PW）和N型漏极区域（ND）。在P型阱（PW）中，形成N型源极区域（NS）、N+型源极区域（NNS）以及P+型杂质区域（BCR）。N型源极区域（NS）在位于N+型源极区域（NNS）的正下方的区域中形成，在位于P+型杂质区域（BCR）的正下方的区域中没有形成，P+型杂质区域（BCR）直接接触到P型阱（PW）。

公开(公告)号：CN112992852A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011386134.3

申请日：2020-12-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久保俊次 ,  安藤公一 ,  井尾英治 ,  田岛英幸 ,  饭田哲也

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/06 ,  H01L23/367

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括基座构件、多层布线层和第一电阻元件。多层布线层被形成在基座构件上。第一电阻元件被形成在多层布线层中。第一电阻元件包括第一导电部分、第二导电部分和第三导电部分。第二导电部分被形成在第一导电部分之上。第三导电部分将第一导电部分和第二导电部分彼此电连接。第三导电部分在沿基座构件的表面的第一方向上的长度，大于第三导电部分在沿基座构件的表面的第二方向上的长度，并且第二方向垂直于第一方向。

公开(公告)号：CN103443927A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280013855.7

申请日：2012-02-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久保俊次

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 从半导体基板（SUB）的主表面到预定的深度形成N型阱（NW），在该N型阱（NW）中形成P型阱（PW）和N型漏极区域（ND）。在P型阱（PW）中，形成N型源极区域（NS）、N+型源极区域（NNS）以及P+型杂质区域（BCR）。N型源极区域（NS）在位于N+型源极区域（NNS）的正下方的区域中形成，在位于P+型杂质区域（BCR）的正下方的区域中没有形成，P+型杂质区域（BCR）直接接触到P型阱（PW）。