保护膜形成用薄膜
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106415793A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201480079216.X

    申请日:2014-07-04

    Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用薄膜,其可以得到保护膜的强度高、有助于带有保护膜的晶片的生产率的提高、且高可靠度的带有保护膜的晶片。本发明的保护膜形成用薄膜,其用于形成保护半导体晶片的保护膜,保护膜形成用薄膜包括环氧类热固化性成分,环氧类热固化性成分包含固化物的玻璃化转移温度为220℃以上的环氧化合物。

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