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公开(公告)号:CN1147555C
公开(公告)日:2004-04-28
申请号:CN99118348.7
申请日:1999-08-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6835 , B24B7/228 , B24B41/061 , C09J7/22 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T156/1184
Abstract: 公开了一种双面涂覆的压敏粘合片,它包括一片可收缩的基片和施涂在其两个侧面上的压敏粘合剂层,至少一层所述压敏粘合剂层是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。该压敏粘合片能有效地高精度加工工件。具体地说,在研磨极薄或大直径硅晶片时,该压敏粘合片通过减少变形和搬运碎裂,适合于能以高产率制造高厚度精度的IC芯片的方法,并能在相同状态下进行背面研磨和切割。本发明还提供一种使用上述压敏粘合片的高可靠性半导体的制造方法。
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公开(公告)号:CN1245819A
公开(公告)日:2000-03-01
申请号:CN99118348.7
申请日:1999-08-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6835 , B24B7/228 , B24B41/061 , C09J7/22 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T156/1184
Abstract: 公开了一种双面涂覆的压敏粘合片,它包括一片可收缩的基片和施涂在其两个侧面上的压敏粘合剂层,至少一层所述压敏粘合剂层是由可能量辐照固化的压敏粘合剂组成的。该压敏粘合片能有效地高精度加工工件。具体地说,在研磨极薄或大直径硅晶片时,该压敏粘合片通过减少变形和搬运碎裂,适合于能以高产率制造高厚度精度的IC芯片的方法,并能在相同状态下进行背面研磨和切割。本发明还提供一种使用上述压敏粘合片的高可靠性半导体的制造方法。
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