公开(公告)号：CN110809815A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201880043967.4

申请日：2018-02-02

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 福元孝齐 ,  山下茂之 ,  中村优智

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/53 ,  C09J7/20

Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片1，其至少用于将在内部形成有改质层的半导体晶圆，在室温环境下切断并分离成各个芯片，其具备：基材11与层叠在所述基材11的一面的侧的粘着剂层12，经由粘着剂层12将隐形切割用粘着片1贴附在硅晶圆上时，粘着剂层12与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为70N/(3mm×20mm)以上、250N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片1，即使在室温下进行扩展时，也可良好地将半导体晶圆单片化成芯片。

公开(公告)号：CN110832620A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880044028.1

申请日：2018-02-02

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 福元孝齐 ,  山下茂之 ,  中村优智

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片1，其至少用于将在内部形成有改质层的半导体晶圆，在-20℃以上、10℃以下的环境下切断并分离成各个芯片，其具备：基材11与层叠在所述基材11的一面侧的粘着剂层12，经由粘着剂层12将隐形切割用粘着片1贴附在硅晶圆上时，粘着剂层12与所述硅晶圆的界面在0℃下的剪切力为190N/(3mm×20mm)以上、400N/(3mm×20mm)以下。即使所得到的芯片尺寸小时，该隐形切割用粘着片1也可通过冷却扩展良好地将半导体晶圆单片化成芯片。

公开(公告)号：CN110753993B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201880040197.8

申请日：2018-02-02

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 福元孝齐 ,  山下茂之 ,  中村优智

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/53 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片(1)，其至少用于在‑20℃以上、10℃以下的环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片(1)具备基材(11)及层叠于所述基材(11)的一面侧的粘着剂层着剂层(12)而贴附于硅晶圆时，所述粘着剂层(12)与所述硅晶圆的界面在0℃下的剪切力为30N/(3mm×20mm)以上、190N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片(1)可通过冷扩展充分地扩大芯片间隔，可抑制从扩展状态的释放所造成的芯片碰撞。(12)，将所述隐形切割用粘着片(1)经由所述粘

公开(公告)号：CN110753992A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201880040196.3

申请日：2018-02-02

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 福元孝齐 ,  山下茂之 ,  中村优智

IPC: H01L21/301 ,  C09J4/00 ,  C09J7/20 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片(1)，其至少用于在室温环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片(1)具备基材(11)及层叠于基材(11)的一面侧的粘着剂层(12)，将隐形切割用粘着片(1)经由粘着剂层(12)而贴附于硅晶圆时，粘着剂层(12)与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为5N/(3mm×20mm)以上、70N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片(1)的芯片清洗性优异。

公开(公告)号：CN110832620B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201880044028.1

申请日：2018-02-02

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 福元孝齐 ,  山下茂之 ,  中村优智

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片1，其至少用于将在内部形成有改质层的半导体晶圆，在‑20℃以上、10℃以下的环境下切断并分离成各个芯片，其具备：基材11与层叠在所述基材11的一面侧的粘着剂层12，经由粘着剂层12将隐形切割用粘着片1贴附在硅晶圆上时，粘着剂层12与所述硅晶圆的界面在0℃下的剪切力为190N/(3mm×20mm)以上、400N/(3mm×20mm)以下。即使所得到的芯片尺寸小时，该隐形切割用粘着片1也可通过冷却扩展良好地将半导体晶圆单片化成芯片。

公开(公告)号：CN110809815B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201880043967.4

申请日：2018-02-02

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 福元孝齐 ,  山下茂之 ,  中村优智

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/53 ,  C09J7/20

Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片1，其至少用于将在内部形成有改质层的半导体晶圆，在室温环境下切断并分离成各个芯片，其具备：基材11与层叠在所述基材11的一面的侧的粘着剂层12，经由粘着剂层12将隐形切割用粘着片1贴附在硅晶圆上时，粘着剂层12与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为70N/(3mm×20mm)以上、250N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片1，即使在室温下进行扩展时，也可良好地将半导体晶圆单片化成芯片。

公开(公告)号：CN110753992B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201880040196.3

申请日：2018-02-02

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 福元孝齐 ,  山下茂之 ,  中村优智

IPC: H01L21/301 ,  C09J4/00 ,  C09J7/20 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片(1)，其至少用于在室温环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片(1)具备基材(11)及层叠于基材(11)的一面侧的粘着剂层(12)，将隐形切割用粘着片(1)经由粘着剂层(12)而贴附于硅晶圆时，粘着剂层(12)与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为5N/(3mm×20mm)以上、70N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片(1)的芯片清洗性优异。

公开(公告)号：CN110753993A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201880040197.8

申请日：2018-02-02

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 福元孝齐 ,  山下茂之 ,  中村优智

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/53 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片(1)，其至少用于在-20℃以上、10℃以下的环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片(1)具备基材(11)及层叠于所述基材(11)的一面侧的粘着剂层(12)，将所述隐形切割用粘着片(1)经由所述粘着剂层(12)而贴附于硅晶圆时，所述粘着剂层(12)与所述硅晶圆的界面在0℃下的剪切力为30N/(3mm×20mm)以上、190N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片(1)可通过冷扩展充分地扩大芯片间隔，可抑制从扩展状态的释放所造成的芯片碰撞。