树脂片
    2.
    发明公开
    树脂片 审中-实审

    公开(公告)号:CN114981343A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202180009389.4

    申请日:2021-01-15

    Abstract: 本发明提供一种树脂片,其是由含有(A)热固性成分及(C)导热性填料的树脂组合物形成的树脂片,其中,所述(A)热固性成分含有马来酰亚胺树脂,所述树脂片热固化后的热扩散率为1.0×10‑6m2/s以上,在对所述树脂片的剖面(P)中的区域(P1)进行观察时,满足下述数学式(F1)所示的条件,所述剖面(P)是沿着与所述树脂片的表面垂直的方向切断而成的剖面,所述区域(P1)是被边长为所述树脂片的厚度的4倍的正方形所包围、并且包含所述树脂片的两个面的区域,0.25≤Ld/Lt≤1···(F1)。Ld:所述(C)导热性填料中剖面直径的垂直方向长度最大者在所述垂直方向的长度;Lt:所述树脂片在所述垂直方向的长度。

    树脂片、半导体装置及树脂片的使用方法

    公开(公告)号:CN109423225A

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201810972459.6

    申请日:2018-08-24

    Abstract: 本发明提供一种树脂片,其即便在树脂组合物层表面的粘性较小时,也不易在树脂组合物层与支撑片的界面发生浮起,且即便在使用于在树脂组合物层的热固化后、将支撑片从所形成的固化层上剥离的半导体装置的制造方法时,也易于将支撑片从该固化层上剥离。一种树脂片(1),其用于电子部件(2)的密封,树脂片(1)具备第一支撑片(11)及固化性树脂组合物层(10),树脂组合物层(10)由含有热固化性树脂及无机微粒的树脂组合物形成,所述微粒的含量为50~90质量%且平均粒径为0.01~3.0μm,第一支撑片(11)具备支撑基材(111)及粘着剂层(112),树脂组合物层(10)层叠在粘着剂层(112)侧的面上。

    树脂片及半导体装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109468075B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN201810908626.0

    申请日:2018-08-10

    Abstract: 本发明提供一种树脂片,其不容易在树脂组合物层与支撑片的界面产生浮起,加工和搬运时的操作性优异。本发明提供的树脂片(1)在采用面板级封装的半导体装置的制造方法中,用于电子元件的密封或绝缘膜的形成,树脂片(1)具备第一支撑片(11)、树脂组合物层(10)、及第二支撑片(12),树脂组合物层(10)由含有热固化性树脂、30质量%以下的热塑性树脂及50质量%以上的无机微粒的树脂组合物形成,第一支撑片(11)的与树脂组合物层(10)的接触面未利用有机硅类剥离剂进行剥离处理,使用气相色谱质谱分析法测定的、将树脂组合物层(10)在120℃下加热30分钟时所产生的挥发成分浓度为100~45000ppm。

    树脂片
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109575822A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201811148501.9

    申请日:2018-09-29

    Abstract: 本发明提供一种树脂片,其为在半导体装置的制造方法中用于密封电子元件的树脂片,所述树脂片具备固化性的树脂组合物层,所述树脂组合物层由含有着色材料的树脂组合物形成,所述着色材料包含构成脂肪族烃基的碳原子相对于全部碳原子的比例超过3质量%的碳类材料、及绝缘性的金属化合物中的至少一者,所述树脂组合物层固化而成的固化层对波长1500~1000nm的透光率为40%以下、对波长800~400nm的透光率为10%以下。根据该树脂片,在所得到的半导体装置中,可实现电子元件优异的隐蔽性,并能够抑制由来自外部电磁波造成的故障,树脂组合物层固化而成的固化层具有优异的绝缘性。

    树脂片及半导体装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109427751A

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201810951627.3

    申请日:2018-08-21

    Abstract: 本发明提供一种不容易产生剥离静电的树脂片。本发明提供一种树脂片(1),其为在采用面板级封装的半导体装置的制造中,用于电子元件的密封或绝缘膜的形成的树脂片(1),树脂片(1)具备第一支撑片(11)、及层叠在第一支撑片(11)的一面上的树脂组合物层(10),第一支撑片(11)具有抗静电性,以剥离速度10m/分钟将第一支撑片(11)从树脂组合物层(10)上剥离时的、第一支撑片(11)的剥离静电压的绝对值小于200V。

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