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公开(公告)号：CN111081661A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号：CN111163585A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010026505.0
申请日：2020-01-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H05K1/18 , H01L23/473
Abstract: 本发明涉及一种用于控制器的电路板及控制器，该电路板包括：电路板本体；第一功率半导体器件和第二功率半导体器件，其全部设置在所述电路板本体上且彼此相邻；以及能够输送冷却液的冷却构件，其与所述第一功率半导体器件和第二功率半导体器件均接触。该电路板不但解决了如何降低控制器出现永久失灵的可能性的问题，而且可以降低功率半导体器件产生的热量在控制器内累积的程度，改善了功率半导体器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110784097A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911221560.9
申请日：2019-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H02M1/08 , H03K17/567
Abstract: 本公开提供了一种驱动器及智能功率模块，包括输出端，用于输出驱动功率模块的驱动信号；可调电阻，第一端连接所述输出端，第二端连接功率模块的控制端，第三端接收外部输入的调节信号所述可调电阻根据所述调节信号改变阻值进而调节所述功率模块控制端的阻值。上述结构极大的增大了驱动器与功率模块之间的参数匹配，能够控制智能功率模块的开关速率，解决了应用端EMC、开关损耗及模块发热的问题等。
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公开(公告)号：CN111163585B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010026505.0
申请日：2020-01-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H05K1/18 , H01L23/473
Abstract: 本发明涉及一种用于控制器的电路板及控制器，该电路板包括：电路板本体；第一功率半导体器件和第二功率半导体器件，其全部设置在所述电路板本体上且彼此相邻；以及能够输送冷却液的冷却构件，其与所述第一功率半导体器件和第二功率半导体器件均接触。该电路板不但解决了如何降低控制器出现永久失灵的可能性的问题，而且可以降低功率半导体器件产生的热量在控制器内累积的程度，改善了功率半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN111081661B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号：CN112435929A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910790886.7
申请日：2019-08-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本申请提供了一种功率模块的封装方法及功率模块，所述方法包括：在直接键合铜衬底上固定安装半导体芯片；在所述直接键合铜衬底上设置焊盘；利用银浆线连接所述焊盘与所述半导体芯片，并利用键合线连接所述焊盘与IGBT管。通过该方法，减少了键合线损坏的可能性，使得芯片集成度更高，实现了在芯片中包含上桥驱动、下桥驱动以及保护电路等其他电路。
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公开(公告)号：CN112435929B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910790886.7
申请日：2019-08-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本申请提供了一种功率模块的封装方法及功率模块，所述方法包括：在直接键合铜衬底上固定安装半导体芯片；在所述直接键合铜衬底上设置焊盘；利用银浆线连接所述焊盘与所述半导体芯片，并利用键合线连接所述焊盘与IGBT管。通过该方法，减少了键合线损坏的可能性，使得芯片集成度更高，实现了在芯片中包含上桥驱动、下桥驱动以及保护电路等其他电路。
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