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公开(公告)号：CN119776798A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411777626.3
申请日：2024-12-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体制备技术领域，具体涉及一种CVD反应腔体的清洁方法。清洁方法按时间顺序依次进行第一清洁阶段、第二清洁阶段和第三清洁阶段，第一清洁阶段将C2F6和O2的第一混合气体通入反应腔体，使第一混合气体对反应腔体内壁面的沉膜进行反应清洁；第二清洁阶段将NF3和O2的第二混合气体通入反应腔体，使第二混合气体对第一清洁阶段后的沉膜进行反应清洁；第三清洁阶段将C2F6、NF3、O2和He的第三混合气体通入反应腔体，使第三混合气体对第二清洁阶段后的沉膜进行反应清洁，第一混合气体与沉膜的反应速率大于第二混合气体与沉膜的反应速率，第三混合气体为过量反应，该清洁方法能够高效地清洁CVD反应腔体内的沉膜。
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