公开(公告)号：CN119776798A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411777626.3

申请日：2024-12-05

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 张煌华 ,  张添水 ,  曾童

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及半导体制备技术领域，具体涉及一种CVD反应腔体的清洁方法。清洁方法按时间顺序依次进行第一清洁阶段、第二清洁阶段和第三清洁阶段，第一清洁阶段将C2F6和O2的第一混合气体通入反应腔体，使第一混合气体对反应腔体内壁面的沉膜进行反应清洁；第二清洁阶段将NF3和O2的第二混合气体通入反应腔体，使第二混合气体对第一清洁阶段后的沉膜进行反应清洁；第三清洁阶段将C2F6、NF3、O2和He的第三混合气体通入反应腔体，使第三混合气体对第二清洁阶段后的沉膜进行反应清洁，第一混合气体与沉膜的反应速率大于第二混合气体与沉膜的反应速率，第三混合气体为过量反应，该清洁方法能够高效地清洁CVD反应腔体内的沉膜。

公开(公告)号：CN119694973A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411791133.5

申请日：2024-12-06

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 李辉 ,  张添水

IPC: H01L21/687

Abstract: 本发明涉及晶圆沉积装置技术领域，具体涉及一种晶圆压环结构和晶圆沉积装置。晶圆压环结构包括压环本体，所述压环本体用于压合载台上晶圆的周缘，其特征在于，所述压环本体上方设有承托环体，所述压环本体与所述承托环体之间留有间距，所述承托环体遮挡所述压环本体的顶面，且所述承托环体的内圆边缘沿着背向所述压环本体方向外翻，该晶圆压环结构能够有效地防止压环与晶圆在沉积过程中发生粘结的问题，且该晶圆压环结构具有结构简单，成本低的优点。

公开(公告)号：CN117646188A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311734861.8

申请日：2023-12-14

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 张添水

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供了一种化学气相沉积设备和化学气相沉积设备的制作方法，该化学气相沉积设备包括：腔室，用于进行化学气相沉积；氧化层，位于腔室的内壁的表面上；介质层，位于氧化层远离内壁的一侧的表面上，其中，介质层的材料为氮化物。该化学气相沉积设备中的氧化层和介质层可以形成ON薄膜，由于氧化物和氮化硅的晶格常数不一样，使ON界面产生大量共格位错缺陷，可以俘获游离的金属离子或金属原子，防止大部分的金属原子或金属离子从化学气相沉积设备腔室的内壁扩散到工艺环境，解决了现有技术中化学气相沉积设备内部残留的金属会对晶圆制作造成污染的技术问题。

公开(公告)号：CN117626234A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311643706.5

申请日：2023-11-30

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 张添水

IPC: C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种CVD设备的校准方法及CVD设备、存储介质、电子设备。其中，该方法包括获取化学气相沉积CVD设备上水平感知器采集的目标电容值，其中，CVD设备包括载片台和喷淋头，水平感知器嵌入在载片台上，水平感知器与电容器连接，电容器的两个极板分别设置在载片台和喷淋头上；根据目标电容值判断载片台与喷淋头之间是否存在位置偏差；若载片台与喷淋头之间存在位置偏差，根据目标电容值对载片台进行位置校准。通过本发明，解决了相关技术调整CVD设备中载片台和喷淋头之间的位置时效率低的技术问题，相对工人测量，同时提高了准度，提高了批量生产的薄膜沉积品质，保证沉积均匀性，适用于超大规模量产。