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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113345510B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110724468.5
申请日：2021-06-29
Applicant: 珠海一微半导体股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种FLASH的容量识别方法及容量识别系统，所述容量识别方法包括：步骤1、在FLASH内设置出标准起始地址处的初始块空间，在擦除初始块空间后将与初始块空间的地址对应的第一批测试数据写入；步骤2、在FLASH内设置出起始容量识别地址，并在FLASH内设置出以起始容量识别地址为起始地址的待测块空间，在擦除待测块空间后将与待测块空间的地址对应的第二批测试数据写入；步骤3、判断从初始块空间内读取出预配置数量个字节的数据与从待测块空间读取出的预配置数量个字节的数据是否满足预设匹配条件，是则确定识别出FLASH的有效容量信息。能够兼容不同类型的FLASH的容量识别。
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公开(公告)号：CN113343319B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110724514.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 珠海一微半导体股份有限公司
IPC: G06F21/79
Abstract: 本发明涉及一种FLASH的类型识别方法及类型识别系统，所述类型识别方法包括：步骤1、配置FLASH进入预设访问模式；步骤2、基于FLASH内置寄存器中设置的待测试的块保护配置位的相邻关系，分批次地对相应的块保护配置位进行读写测试；当每一批的块保护配置位在读写测试中都读取出对应块保护配置位上最新写入的一位二进制数时，确定FLASH的类型为当前配置的预设访问模式相匹配的闪存存储器类型；其中，块保护配置位的相邻关系包括彼此相邻和互不相邻；其中，不同批的块保护配置位执行读写测试的时间点是不同的；待测试的块保护配置位是任意FLASH都设置的。既提高硬件兼容性，又保证FLASH的类型识别的正确性。
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公开(公告)号：CN115691628A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110845862.4
申请日：2021-07-26
Applicant: 珠海一微半导体股份有限公司
IPC: G11C29/02
Abstract: 本发明公开了一种失效DRAM地址线的定位方法、装置及存储介质，所述方法先对异常芯片的DRAM内存进行数据填充，然后再读取起始地址空间片段的数据出来进行分析，当出现数据异常现象，结合地址访问模式和异常的数据可实现对异常芯片的DRAM内存中失效的地址线的精确定位；本技术方案能在合封芯片无法使用示波器/万用表等仪器条件下，提供具体的失效DRAM地址线给封装工厂做开盖分析，可以大大降低分析成本，更进一步地，本技术方案还可以进行应用扩展，适用于多种类型的DRAM地址线的失效问题分析。
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公开(公告)号：CN113641595B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202110867815.X
申请日：2021-07-30
Applicant: 珠海一微半导体股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种独立块保护模式的SPI FLASH在BROM阶段的类型识别方法及系统，仅通过对独立块保护模式FLASH内置寄存器的只读操作，就可以实现SPI FLASH在BROM阶段的类型识别，识别过程简单、快速且通用性强，无任何断电或者电压不稳造成的擦除或者写入数据出错风险，不仅适用于开启独立块保护模式的SPI FLASH，也可以适用于其他不采用块保护模式的SPI FLASH，无新增ID或者SFDP表的软件更新风险，适用于BROM系统。
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公开(公告)号：CN113641595A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110867815.X
申请日：2021-07-30
Applicant: 珠海一微半导体股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种独立块保护模式的SPI FLASH在BROM阶段的类型识别方法及系统，仅通过对独立块保护模式FLASH内置寄存器的只读操作，就可以实现SPI FLASH在BROM阶段的类型识别，识别过程简单、快速且通用性强，无任何断电或者电压不稳造成的擦除或者写入数据出错风险，不仅适用于开启独立块保护模式的SPI FLASH，也可以适用于其他不采用块保护模式的SPI FLASH，无新增ID或者SFDP表的软件更新风险，适用于BROM系统。
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