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公开(公告)号：CN107359245A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710221347.2
申请日：2017-04-06
CPC classification number: H01L51/0078 , C07F1/08 , H01L51/0003 , H01L51/005 , H01L51/4226 , H01L51/424 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/0083 , H01L51/0091 , H01L51/0092 , H01L51/4213
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐热性和耐久性的空穴传输材料、一种包括在空穴传输层中的空穴传输材料的钙钛矿太阳能电池以及一种该太阳能电池的制造方法。因为通过使用其中基于酞菁的有机配体与金属配位键合的空穴传输材料形成空穴传输层，所以本发明提供一种PCE等于或大于相关领域中的PCE的钙钛矿太阳能电池。当空穴传输材料由于优异的耐热性和耐久性而被用作空穴传输层时，本发明提供一种能够在较宽的温度范围内长时间保持初始PCE的钙钛矿太阳能电池。
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公开(公告)号：CN107431128A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680012990.8
申请日：2016-01-08
Applicant: 韩国化学研究院
Abstract: 本发明的具有有机、无机杂化钙钛矿化合物膜的器件的制备方法包括：步骤a)，层叠第一结构体和第二结构体，以使第一表面层和第二表面层相接触，所述第一结构体包括含有下述i～v)中的至少一种物质的第一表面层，所述第二结构体包括与第一表面层独立地包含下述i～v)中的至少一种物质的第二表面层；以及步骤b)，向层叠有第一结构体和第二结构体的层叠体施加热量以及物理力：i)有机、无机杂化钙钛矿化合物，ii)有机卤化物，iii)金属卤化物，iv)有机、无机杂化钙钛矿化合物前体物质，v)金属卤化物前体物质。
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公开(公告)号：CN106573791A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580041999.7
申请日：2015-08-03
Applicant: 韩国化学研究院
CPC classification number: C07F7/24 , H01G9/2009 , H01L51/0077 , H01L51/4226 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及无机、有机杂化钙钛矿化合物膜的制备方法及太阳能电池用结构体，详细地，本发明一实施例的无机、有机杂化钙钛矿化合物膜的制备方法可包括：步骤a)，在基材层上形成包含卤化金属‑异质分子加合物(adduct of halogenated metal and quest molecule)的前体膜(adduct layer)；以及步骤b)，使上述前体膜与有机卤化物发生反应来制备无机、有机杂化钙钛矿化合物膜。
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公开(公告)号：CN107431128B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201680012990.8
申请日：2016-01-08
Applicant: 韩国化学研究院
Abstract: 本发明的具有有机、无机杂化钙钛矿化合物膜的器件的制备方法包括：步骤a)，层叠第一结构体和第二结构体，以使第一表面层和第二表面层相接触，所述第一结构体包括含有下述i～v)中的至少一种物质的第一表面层，所述第二结构体包括与第一表面层独立地包含下述i～v)中的至少一种物质的第二表面层；以及步骤b)，向层叠有第一结构体和第二结构体的层叠体施加热量以及物理力：i)有机、无机杂化钙钛矿化合物，ii)有机卤化物，iii)金属卤化物，iv)有机、无机杂化钙钛矿化合物前体物质，v)金属卤化物前体物质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106573791B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201580041999.7
申请日：2015-08-03
Applicant: 韩国化学研究院
Abstract: 本发明涉及无机、有机杂化钙钛矿化合物膜的制备方法及太阳能电池用结构体，详细地，本发明一实施例的无机、有机杂化钙钛矿化合物膜的制备方法可包括：步骤a)，在基材层上形成包含卤化金属‑异质分子加合物(adduct of halogenated metal and quest molecule)的前体膜(adduct layer)；以及步骤b)，使上述前体膜与有机卤化物发生反应来制备无机、有机杂化钙钛矿化合物膜。
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公开(公告)号：CN109148687A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810621704.9
申请日：2018-06-15
Applicant: 韩国化学研究院
CPC classification number: H01G9/2009 , H01L51/0077 , H01L51/4206 , H01L51/424 , H01L51/422 , H01L51/0026 , H01L51/0032
Abstract: 本发明涉及包含宽带隙的钙钛矿系太阳能电池及其制造方法，详细地，本发明的太阳能电池包括钙钛矿结构的有机金属卤化物层、以及与有机金属卤化物层形成界面而层叠的结晶性物质层，结晶性物质层的结晶性物质是具有与钙钛矿结构不同的晶体结构的结晶性卤化物，结晶性卤化物具有比有机金属卤化物层的有机金属卤化物的带隙能量大的带隙能量，并具有比有机金属卤化物的价带(valence band)最大能级低的价带(valence band)最大能级。
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公开(公告)号：CN109148687B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN201810621704.9
申请日：2018-06-15
Applicant: 韩国化学研究院
Abstract: 本发明涉及包含宽带隙的钙钛矿系太阳能电池及其制造方法，详细地，本发明的太阳能电池包括钙钛矿结构的有机金属卤化物层、以及与有机金属卤化物层形成界面而层叠的结晶性物质层，结晶性物质层的结晶性物质是具有与钙钛矿结构不同的晶体结构的结晶性卤化物，结晶性卤化物具有比有机金属卤化物层的有机金属卤化物的带隙能量大的带隙能量，并具有比有机金属卤化物的价带(valence band)最大能级低的价带(valence band)最大能级。
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